1979年成立的LG半导体是 MagnaChip的母体,2004年从海力士的非半导体存储器事业部门独立出来,以 MagnaChip半导体的身份全新起航。
韩国美格纳半导体功率器件
韩国美格纳
IGBT:1200V/50A-300A 新一代软穿通型技术,IGBT模块1200V标准压降仅1.8V,特别适合于软开发开关领域:低饱和压降,低开关损耗,宽安全工作区。
MPMB50B120RH 原韩国大卫 DM2G50SH12A 小体积
MPMB75B120RH 原韩国大卫 DM2G75SH12A 小体积
MPMB100B120RH 原韩国大卫 DM2G100SH12AE 小体积
MPMD100B120RH 原韩国大卫 DM2G100SH12AL 大体积
MPMD150B120RH 原韩国大卫 DM2G150SH12A 大体积
MPMD200B120RH 原韩国大卫 DM2G200SH12A 大体积
MPMD300B120RH 原韩国大卫 DM2G300SH12A 大体积
FRD:400V-1200V 60A-300A 规格齐全,性能优异,EAS特性更好,恢复时间短。
MPJC2CA100U40 原韩国大卫 DH2F100N4S 封装:3DM-2
MPJC2CA150U40 原韩国大卫 DH2F150N4S 封装:3DM-2
MPJC2CA200U40 原韩国大卫 DH2F200N4S 封装:3DM-2
MPKB2CA100U40 原韩国大卫 DAC2F100N4S 封装:5DM-1 共阴电路
MPKB2SA100U40 原韩国大卫 DA2F100N4S 封装:5DM-1 共阴电路
MPKC2CA150U40 原韩国大卫 DBC2F150N4S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2SA150U40 原韩国大卫 DB2F150N4S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2CA200U40 原韩国大卫 DBC2F200N4S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2SA200U40 原韩国大卫 DB2F200N4S 封装:5DM-2 共阴电路
MPGB1N300U60 原韩国大卫 DSIF300N6S 封装:2DM-1
MPJC2CA100U60 原韩国大卫 DH2F100N6S 封装:3DM-2
MPJC2CA150U60 原韩国大卫 DH2F150N6S 封装:3DM-2
MPKB2CA100U60 原韩国大卫 DAC2F100N6S 封装:5DM-1 共阴电路
MPKB2CB100U60 原韩国大卫 DAC2F100P6S 封装:5DM-1 共阳电路
MPKB2CA150U60 原韩国大卫 DAC2F150N6S 封装:5DM-1 共阴电路
MPKC2CA15U60 原韩国大卫 DBC2F150N6S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2CB150U60 原韩国大卫 DBC2F150N6S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2CA200U60 原韩国大卫 DBC2F200N6S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2CB200U60 原韩国大卫 DBC2F200P6S 封装:5DM-2 共阳电路
MPKC2SA150U60 原韩国大卫 DB2F150N6S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2SB150U60 原韩国大卫 DB2F150P6S 封装:5DM-2 共阳电路
MPKC2SA200U60 原韩国大卫 DB2F200N6S 封装:5DM-2 共阴电路
MPKC2SB200U60 原韩国大卫 DB2F200P6S 封装:5DM-2 共阳电路
MPSC2N100U60 原韩国大卫 DWM100X2-06U DWM90X2-06NP
MPKB2SA100U120 原韩国大卫 DA2F100N12S 封装:5DM-1 共阴电路
MPKB2SB100U120 原韩国大卫 DA2F100P12S 封装:5DM-1 共阳电路
MPKB2SA75U120 原韩国大卫 DA2F75N12S 封装:5DM-1 共阴电路
MPKC1N450U120 1单元450A 1200V 封装:5DM-2
MPSC2N60U120 原韩国大卫 DWM60X2-12N 封装:SOT-227
MPSC2N100U120 原韩国大卫 DWM100X2-12N 封装:SOT-227