【方案名称】：基于UR5403T 的12W高效率球泡灯电源驱动
【品牌名称】：成都岷创科技有限公司。UR5403T 电源驱动芯片。
【方案特点】： 各位工程师在接触一个又一个不同的芯片原厂，可能都有共同的一个感受。各个芯片原厂的IC名称虽然不同，但是所提供的方案都大同小异。尤其是低成本LED市场，几乎都是跟某明源的架构相似甚至一模一样。成都岷创为各位提供一个全新的方案。我们方案与目前市场上不同的地方有：
1：为提高系统效率，UR5403T采用真正的谷底开启。极大地降低了MOS管开通时寄生电容COSS 带来的损耗。
2：真正意义上解决了单绕组芯片供电的难题。目前市场上单绕组非隔离方案为芯片供电主要有两种方式：1）通过线电压直接为芯片供电。2）采用浮地架构，通过负载为芯片供电。 以上两种供电方式都会有较大的供电损耗。用第一种供电方式的芯片做全电压输入的方案，在高压下供电电阻上的损耗不容小视。而第二种供电方式除了会增加芯片的应用成本外，当输出电压较高时供电损耗也不低。 这两种供电方式均或多或少的有关机回闪的问题，增大了应用工程师的调试难度。
3：真正解决了系统OVP的问题。 目前单绕组方案的OVP 也有两种解决办法。1）浮地设计，直接检测负载输出电压。2）采用固定TOFF 时间检测负载电压。对于第一种方案，可以很好地检测输出过压，但会增加应用成本。而第二种方案中，TOFF设定脚是一个高阻抗脚，系统的开关信号会干扰到这个脚。相信许多工程师在量产的时候总会发现有那么一些片子的OVP不正常。这是合理的，因此之前的IC原厂没有认真考量这个问题。而我们的UR5403T 通过专利的电路技术，克服了这个困难。
3: ±2%的负载以及线电压调整率。
4：真正的栅极驱动。目前市场上的大多方案均采用源极驱动。源极驱动的好处是芯片耗电量少。缺点是由于控制芯片有个低压MOS管与高压MOS串联，会增大系统的损耗。也就是封装同样的MOS管，栅极驱动的MOS管开通损耗要低于源极驱动。
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【是否可以申请样品】欢迎大家申请样品测试！
【输入输出规格】输入电压VIN 180V~270V 输出范围：50~150V 输出电流84mA±2%
【电路图】
【物料清单】
【测试数据】
真正的谷底开启。
