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30Mhz EMC 测试不通过

最近小弟公司的显微镜在进行EMC测试,主体机构为外部AC-DC开关电源然后连接至显微镜内部,内部接有一个调光PCB,一开始效果非常差,后来在调光板的输入输出端接了共模电感等,将40Mhz和80Mhz下的EMI给压下来了,但是30Mhz还是会超5DB,内部调光板加了铜箔屏蔽罩也没有很好的解决,不知道各位大神可否指点一二?

另外,偶然听说电源余量会对EMI有影响,试了一下,将卤素灯的亮度调至最亮,确实通过了,可是亮度调下来就不行了,这个咋理解?

对了,每次都是EMI接收机天线垂直的时候超标。。。

ps:AC-DC应该是正规的明纬品牌,也有EMC的认证证书。

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2014-12-18 15:24

这个要具体情况具体分析。。。

首先先用电阻负载测试电源,看是否正常。不同的电流下测试。

如果没问题。带实际负载。为什么灯满载时,可以过。调光时,就出问题了。这个可能是调光板的调光频率或控制方式有问题。。。

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2014-12-19 07:53
@dxsmail
这个要具体情况具体分析。。。首先先用电阻负载测试电源,看是否正常。不同的电流下测试。如果没问题。带实际负载。为什么灯满载时,可以过。调光时,就出问题了。这个可能是调光板的调光频率或控制方式有问题。。。

恩, 谢谢。拆了一个国外的显微镜里的调光板,安装在我们的机子上,30Mhz的时候也是超标;不过用近场探头配合频谱仪,测试出来它的调光板的辐射会小很多;

另外,请教下,EMI接收机垂直的时候超标,是否很多概率是输入电源线的缘故?谢谢!

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2014-12-19 08:29
@apple19871010
恩,谢谢。拆了一个国外的显微镜里的调光板,安装在我们的机子上,30Mhz的时候也是超标;不过用近场探头配合频谱仪,测试出来它的调光板的辐射会小很多;另外,请教下,EMI接收机垂直的时候超标,是否很多概率是输入电源线的缘故?谢谢!

一般的电阻性负载,都是垂直辐射超标。。。。

EMC是很复杂的。一般跟PCB有很大关系。。。。要找到原因,然后一个一个试。。。

改善EMC很大一部分是依靠经验。最好从裸板开始(没加任何共模电感的板开始)。。

网上的一些经验。

开关电源的EMI 处理经验对策小结

开关电源EMI 整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:

1MHZ 以内----以差模干扰为主

1.增大X 电容量;

2.添加差模电感;

3.小功率电源可采用PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)

4.体积紧凑的小功率电源中,由于削尖峰电路离L/N相太近,导致500-700KHz频段超标。这种超标现象,也可能是变压器或MOS管辐射引起。

 

1MHZ---5MHZ---差模共模混合,

采用输入端并联一系列X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,

1.对于差模干扰超标可调整X 电容量,添加差模电感器,调差模电感量;

2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;

3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对普通整流二极管1N4007

5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。

对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用;

可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.

处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

对于20--30MHZ

1.对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置;

2.调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;

3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。

4.改变PCB LAYOUT

5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

6.在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数;

7.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE

8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

9. 可以用增大MOS 驱动电阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起,

1.可以用增大MOS 驱动电阻;

2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管(或在D端串联一个电阻300R);

3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决;

4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

5.MOSFET D-S 脚并联一个小吸收电路;

6.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE

7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;

8.PCBLAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能的小;

9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,

1.可以在整流管上串磁珠;

2.调整输出整流管的吸收电路参数;

3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,PIN脚处加BEAD CORE串接适当的电阻;

4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。

5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

200MHZ 以上 开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI 标准。

补充说明:

开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.

开关电源是高频产品,PCB 的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.

开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意

此点.

主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,EMC 有一

定的影响.请密切注意此点.

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2014-12-19 08:47
@dxsmail
一般的电阻性负载,都是垂直辐射超标。。。。EMC是很复杂的。一般跟PCB有很大关系。。。。要找到原因,然后一个一个试。。。改善EMC很大一部分是依靠经验。最好从裸板开始(没加任何共模电感的板开始)。。网上的一些经验。开关电源的EMI处理经验对策小结开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:1MHZ以内----以差模干扰为主1.增大X电容量;2.添加差模电感;3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。4.体积紧凑的小功率电源中,由于削尖峰电路离L/N相太近,导致500-700KHz频段超标。这种超标现象,也可能是变压器或MOS管辐射引起。 1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。对于20--30MHZ,1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。4.改变PCBLAYOUT;5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。9.可以用增大MOS驱动电阻.30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起,1.可以用增大MOS驱动电阻;2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管(或在D端串联一个电阻300R);3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;8.PCB在LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。50---100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起,1.可以在整流管上串磁珠;2.调整输出整流管的吸收电路参数;3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE串接适当的电阻;4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准。补充说明:开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.请密切注意此点.

非常感谢!

上面的资料我也在网上找到过,不过由于AC-DC电源适配器是外购的,所以没法对MOS进行处理;另外,调光板主体是采用Buck模式,但是MOS是内部集成的,所以也无法更改;

不过考虑到将国外产品的调光板安装到我们的显微镜上,还是超标。所以,小弟还是倾向于适配器或者外壳的缘故,下一步如您前面所言,打算单独测试一下适配器,甚至并且再给他加一个屏蔽罩试试。然后也打算用电池给显微镜供电,试一试到底哪里超标。。。

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2014-12-19 09:03
@apple19871010
非常感谢!上面的资料我也在网上找到过,不过由于AC-DC电源适配器是外购的,所以没法对MOS进行处理;另外,调光板主体是采用Buck模式,但是MOS是内部集成的,所以也无法更改;不过考虑到将国外产品的调光板安装到我们的显微镜上,还是超标。所以,小弟还是倾向于适配器或者外壳的缘故,下一步如您前面所言,打算单独测试一下适配器,甚至并且再给他加一个屏蔽罩试试。然后也打算用电池给显微镜供电,试一试到底哪里超标。。。

电源可以用可调直流电源先调试。。。

大部分的可调直流电源都会做得比较好。。。。

如果它超标了。基本上都是负载的问题了。。。

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alai4
LV.6
7
2014-12-19 10:36
@dxsmail
一般的电阻性负载,都是垂直辐射超标。。。。EMC是很复杂的。一般跟PCB有很大关系。。。。要找到原因,然后一个一个试。。。改善EMC很大一部分是依靠经验。最好从裸板开始(没加任何共模电感的板开始)。。网上的一些经验。开关电源的EMI处理经验对策小结开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:1MHZ以内----以差模干扰为主1.增大X电容量;2.添加差模电感;3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。4.体积紧凑的小功率电源中,由于削尖峰电路离L/N相太近,导致500-700KHz频段超标。这种超标现象,也可能是变压器或MOS管辐射引起。 1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。对于20--30MHZ,1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。4.改变PCBLAYOUT;5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。9.可以用增大MOS驱动电阻.30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起,1.可以用增大MOS驱动电阻;2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管(或在D端串联一个电阻300R);3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;8.PCB在LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。50---100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起,1.可以在整流管上串磁珠;2.调整输出整流管的吸收电路参数;3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE串接适当的电阻;4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准。补充说明:开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.请密切注意此点.
mark
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2014-12-29 16:32
@dxsmail
电源可以用可调直流电源先调试。。。大部分的可调直流电源都会做得比较好。。。。如果它超标了。基本上都是负载的问题了。。。

测试已通过,在适配器的输出口加了一个磁环,并绕了2圈;

原来也采取过类似的方式,不过没有对磁环进行合理的选择,只是随便拿了一个,这次特意问磁环公司针对30Mhz的拿了几个,效果OK;

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liwei1100
LV.1
9
2019-08-10 11:15
@dxsmail
一般的电阻性负载,都是垂直辐射超标。。。。EMC是很复杂的。一般跟PCB有很大关系。。。。要找到原因,然后一个一个试。。。改善EMC很大一部分是依靠经验。最好从裸板开始(没加任何共模电感的板开始)。。网上的一些经验。开关电源的EMI处理经验对策小结开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:1MHZ以内----以差模干扰为主1.增大X电容量;2.添加差模电感;3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。4.体积紧凑的小功率电源中,由于削尖峰电路离L/N相太近,导致500-700KHz频段超标。这种超标现象,也可能是变压器或MOS管辐射引起。 1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。对于20--30MHZ,1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。4.改变PCBLAYOUT;5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。9.可以用增大MOS驱动电阻.30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起,1.可以用增大MOS驱动电阻;2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管(或在D端串联一个电阻300R);3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;8.PCB在LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。50---100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起,1.可以在整流管上串磁珠;2.调整输出整流管的吸收电路参数;3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE串接适当的电阻;4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准。补充说明:开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.请密切注意此点.
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