大家好:
根据IGBT的datasheet显示,如图1,VGE的极限电压为20V以上就会损坏IGBT的。而VGE(th)是符合的,电压为5V左右,C极就有电流流通,VCE压降降低。但本人做了如下实验,如图2,把VCC调到30V,IGBT还是安然无恙,请问,这是为何呢?
图1:
图2:
晕,谁告诉你30伏就一定会坏了,你以为是国人造东西啊,一般标称电压也就实际值的一半多
但本人遇到过一种炸机的现象,就是IGBT的驱动信号,由于驱动电路的参数不好,在刚启动功率时候,PPWM比较窄的情况,有差不多24V的尖峰脉冲出现,导致经常出现炸机,后来调整了驱动参数后,尖峰消失后,炸机率大大降低。
你上图可是在低压下进行的,条件不同结果肯定不一样的
我只想做一个小实验,来验证datasheet所提供的数据,请问大家,能否构造出如此的小实验呢?
你能把40安的管子再高压下用到50安还不坏才算挑战
器件的参数特性了解透,用好就是对了!挑战两会事,说不上!
业余爱好者就是做小实验挑战指标,又玩了,又乐了的,做产品就不,