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挑战IGBT的VGE的极限参数,但根本不能把IGBT损害,原因为何?

大家好:

      根据IGBT的datasheet显示,如图1,VGE的极限电压为20V以上就会损坏IGBT的。而VGE(th)是符合的,电压为5V左右,C极就有电流流通,VCE压降降低。但本人做了如下实验,如图2,把VCC调到30V,IGBT还是安然无恙,请问,这是为何呢?

图1:

 

 

 

图2:

 

 

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zsb111000
LV.4
2
2015-01-22 13:29

晕,谁告诉你30伏就一定会坏了,你以为是国人造东西啊,一般标称电压也就实际值的一半多

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hero0765
LV.4
3
2015-01-22 13:35
@zsb111000
晕,谁告诉你30伏就一定会坏了,你以为是国人造东西啊,一般标称电压也就实际值的一半多

但本人遇到过一种炸机的现象,就是IGBT的驱动信号,由于驱动电路的参数不好,在刚启动功率时候,PPWM比较窄的情况,有差不多24V的尖峰脉冲出现,导致经常出现炸机,后来调整了驱动参数后,尖峰消失后,炸机率大大降低。

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zsb111000
LV.4
4
2015-01-22 13:43
@hero0765
但本人遇到过一种炸机的现象,就是IGBT的驱动信号,由于驱动电路的参数不好,在刚启动功率时候,PPWM比较窄的情况,有差不多24V的尖峰脉冲出现,导致经常出现炸机,后来调整了驱动参数后,尖峰消失后,炸机率大大降低。

你上图可是在低压下进行的,条件不同结果肯定不一样的

 

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貮寶
LV.7
5
2015-01-22 13:55
这不叫挑战,要不同类型十种以上分别试来试去,才能牛出一个结果,闲着也是闲着.
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hero0765
LV.4
6
2015-01-22 14:01
@貮寶
这不叫挑战,要不同类型十种以上分别试来试去,才能牛出一个结果,闲着也是闲着.

我只想做一个小实验,来验证datasheet所提供的数据,请问大家,能否构造出如此的小实验呢?

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zsb111000
LV.4
7
2015-01-22 14:02
@貮寶
这不叫挑战,要不同类型十种以上分别试来试去,才能牛出一个结果,闲着也是闲着.

你能把40安的管子再高压下用到50安还不坏才算挑战

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zsb111000
LV.4
8
2015-01-22 14:05
@zsb111000
你能把40安的管子再高压下用到50安还不坏才算挑战[图片]
技术手册上的参数都是下限值,实际要比它好的
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貮寶
LV.7
9
2015-01-24 09:50
@hero0765
我只想做一个小实验,来验证datasheet所提供的数据,请问大家,能否构造出如此的小实验呢?

器件的参数特性了解透,用好就是对了!挑战两会事,说不上!

业余爱好者就是做小实验挑战指标,又玩了,又乐了的,做产品就不,

 

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2015-04-16 11:11
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2015-04-16 11:13
@jerry263428587
[图片]
看不到图片
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Q597298353Q
LV.5
12
2015-04-16 20:00
余量啊~
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