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【专利新品发布】锐骏半导体全新系列产品,值得特别关注的新品MOS,只为方便您的使用!

咱们工程师们平时用TO-220AB封装形式MOS时,考虑到的除了设计的一些余量外,还有就是绝缘和散热。

因为一般的TO-220AB封装形式MOS的漏极(D极)跟散热面是内部相同的。

TO-220AB封装形式MOS需要加散热片散热时,特别是不同用途的MOS共用一个散热片时,需要做绝缘,加绝缘片和绝缘粒。

一般的绝缘片为导热硅胶片或云母片。具体见下图

导热硅胶片

云母片

这个时候还需要加上绝缘粒(螺丝还得穿过MOS的散热面固定到散热片上)

绝缘粒

整个安装工艺如下图所示

还有一种生产工艺,就是MOS管套上绝缘帽,绝缘帽也是导热硅胶片做成的。绝缘帽如下图

绝缘帽

然后用压条压住管子,压条如下图

单管压条

双管压条

下边是压条固定单管后的效果图(没找到合适的,实际绝缘套帽是套在管子上的)

下边是压条固定双管后的效果图(没找到合适的,实际绝缘套帽是套在管子上的)

以上是常见的常规TO-220AB封装形式MOS散热及固定工艺。

这样的工艺有很多缺点:

1.绝缘片和绝缘粒产生额外的材料成本,管理成本和生产成本;

2.生产装配麻烦,全部需要人工完成,生产效率较低。现在的人工成本再不断增加;

3.绝缘粒在MOSFET高温运行时,容易老化、变形,最终导致MOSFET与散热片松动,散热效果降低,绝缘性能下降(极端情况下可能会发生不绝缘的情况)

4.生产装配时,容易损坏绝缘粒(绝缘粒破裂或者变形),最终导致MOSFET的散热效果降低,绝缘性能下降;

5.工厂生产时,通常会做绝缘耐压测试,绝缘耐压测试容易损坏MOSFET,造成MOSFET隐性损坏(栅极损伤),造成潜在可靠性失效问题。

还有一种方式就是选择TO-220F(塑封)MOS达到绝缘效果,但散热效果变差。

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老梁头
LV.10
2
2015-03-02 21:49

锐骏半导体通过不断的研究创新,研发出新型的内绝缘MOSFET–TO-220S封装;

TO-220S – 内绝缘MOSFET:就是使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOS管背部散热片相互隔离的一种新型封装,最终目的是将MOS管的漏极与其背部散热片之间达到电气隔离;

目前锐骏推出的TO-220S封装的绝缘耐压等级为高于1500V,并保证100%测试(VISO=150VAC,Time=0.8s,ISOL<0.5mA)。

如下图

既然我们锐骏半导体的内绝缘TO-220S封装MOSFET具有内部绝缘,那么我们的MOS可以直接固定到散热片上。

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老梁头
LV.10
3
2015-03-02 21:50
@老梁头
锐骏半导体通过不断的研究创新,研发出新型的内绝缘MOSFET–TO-220S封装;TO-220S–内绝缘MOSFET:就是使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOS管背部散热片相互隔离的一种新型封装,最终目的是将MOS管的漏极与其背部散热片之间达到电气隔离;目前锐骏推出的TO-220S封装的绝缘耐压等级为高于1500V,并保证100%测试(VISO=150VAC,Time=0.8s,ISOL

从上边的对比可以看出锐骏半导体TO-220S封装比普通TO-220AB具有更多的有优势

1.从MOSFET内部解决了MOSFET共用一个散热片的绝缘问题。

2.降低成本          

   >不再需要MOSFET和散热片之间增加的绝缘片

   >不再需要在固定螺丝上加的绝缘粒

   >节约了材料成本,物料管理成本和生产成本

3.生产装配简单          

   >减少了装配工时

   >取消了绝缘测试的工作流程

   >提高了生产效率

4.提高可靠性          

   >避免因为绝缘粒因为高温或破裂而产生的可靠性问题

   >所有内绝缘MOSFET TO-220S封装出厂前都是经过100%的绝缘耐压测试,客户不需要再做绝缘耐压测试,从而避免了客户端做绝缘耐压测试而产生的可靠性问题

   >TO-220S封装已经经过约1年左右时间的终端客户实际使用验证(主要用于E-BIKE控制板),产品成熟可靠

5.TO-220S封装经过实际测试对比,比全包封TO-220F封装的散热性能好,与TO-220AB+绝缘片的散热性能差不多

下边我们通过实际实验来验证三种封装的散热性能

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老梁头
LV.10
4
2015-03-02 21:50
@老梁头
从上边的对比可以看出锐骏半导体TO-220S封装比普通TO-220AB具有更多的有优势1.从MOSFET内部解决了MOSFET共用一个散热片的绝缘问题。2.降低成本        >不再需要MOSFET和散热片之间增加的绝缘片  >不再需要在固定螺丝上加的绝缘粒  >节约了材料成本,物料管理成本和生产成本3.生产装配简单        >减少了装配工时  >取消了绝缘测试的工作流程  >提高了生产效率4.提高可靠性        >避免因为绝缘粒因为高温或破裂而产生的可靠性问题  >所有内绝缘MOSFETTO-220S封装出厂前都是经过100%的绝缘耐压测试,客户不需要再做绝缘耐压测试,从而避免了客户端做绝缘耐压测试而产生的可靠性问题  >TO-220S封装已经经过约1年左右时间的终端客户实际使用验证(主要用于E-BIKE控制板),产品成熟可靠5.TO-220S封装经过实际测试对比,比全包封TO-220F封装的散热性能好,与TO-220AB+绝缘片的散热性能差不多下边我们通过实际实验来验证三种封装的散热性能

TO-220热阻

从上面的装配工艺看,内绝缘新型TO-220S MOSFET相当于把传统型TO-220AB MOSFET安装在Heat Sink上时的绝缘片做到了MOS管内部,因此导致结温到Case的热阻变大,但却因安装在Heat Sink时不再需要绝缘片而降低了Case到Heat Sink的热阻 ,只要我们能在以下几个条件下测试Heat Sink上的温度就能说明那种封装的总热阻小:

1.使用同一芯片而采用不同的封装形式;

2.在同一时间内消耗同样的功率;

3.使同一个Heat Sink;

4.一个密闭的环境内;

最终Heat Sink温度越高的说明热量越容易传递到Heat Sink, 证明总热阻越小

三种MOS封装实验对比

为了对比TO-220AB,TO-220F和绝缘版TO-220S MOSFET的散热性能(热阻),我们请研发工程师做如下实验

条件1:使用同一芯片而采用不同的封装形式,我们使用同一芯片封成以下三种形式:

条件2:在同一时间内消耗同样的功率,为了能使MOSFET消耗同样的功率,我们需要设计一个恒功率的电路,如下电路图:

此电路中我们设置:电源Vcc=18.11V电流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W

条件3:一个密闭的环境内

我们采用的是一个小纸盒,尺寸如下:长*宽*高=130mm*100mm*55mm

首先,我们按照条件2调试好电源电压和流过MOSFET的电流,如下图:

电源电压设置为18.11V,调整电路参数使得流过MOS管的电流Id=0.5A,因此,此时MOSFET共消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W

其次,分别换装不同的MOSFET并按照相同的方式粘贴温度检测线,其中传统的TO-220我们采用了两种不同的绝缘片,分别为:

第一种:市面上最常见的硅胶绝缘片,厚度0.3mm;温度线粘贴如下图:

CH1:漏极(2脚)温度

CH2:MOS管漏极HS

CH3:总HS温度

CH4:环境温度

第二种:目前电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。温度线粘贴如下图:

CH1:漏极(2脚)温度

CH2:MOS管漏极HS

CH3:总HS温度

CH4:环境温度

换装全包封TO-220F时的温度线粘贴图片注意:为了以后能和其他MOSFET有效对比漏极HS的温度CH2测试点的环氧树脂需要被处理掉!

CH1:漏极(2脚)温度

CH2:MOS管漏极HS

CH3:总HS温度

CH4:环境温度

换装绝缘版TO-220S时的温度线粘贴图片

CH1:漏极(2脚)

温度CH2:MOS管漏极HS

CH3:总HS温度

CH4:环境温度

最后均按照下面的方式放入条件4中的小纸盒内,测试前折叠好纸盒并通过温度测试仪保存每种状态的温度数据。

最后见证奇迹的时刻到了

考虑实验误差的情况下,4种情况下管脚2的温度几乎差不多(几种封装的管脚2与晶圆的热阻几乎相同)。

实验结果可以看出:半包封TO-220AB MOSFET+黄色绝缘片的散热效果最好,其次是内绝缘TO-220S MOSFET,然后是半包封TO-220AB MOSFET+蓝色绝缘片,最差的是全包封TO-220F MOSFET。所以内绝缘TO-220S MOSFET的散热性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黄色绝缘片和蓝色绝缘片之间。该结果符合理论上的热阻计算。

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老梁头
LV.10
5
2015-03-02 21:50
@老梁头
TO-220热阻从上面的装配工艺看,内绝缘新型TO-220SMOSFET相当于把传统型TO-220ABMOSFET安装在HeatSink上时的绝缘片做到了MOS管内部,因此导致结温到Case的热阻变大,但却因安装在HeatSink时不再需要绝缘片而降低了Case到HeatSink的热阻,只要我们能在以下几个条件下测试HeatSink上的温度就能说明那种封装的总热阻小:1.使用同一芯片而采用不同的封装形式;2.在同一时间内消耗同样的功率;3.使同一个HeatSink;4.一个密闭的环境内;最终HeatSink温度越高的说明热量越容易传递到HeatSink,证明总热阻越小[图片]三种MOS封装实验对比为了对比TO-220AB,TO-220F和绝缘版TO-220SMOSFET的散热性能(热阻),我们请研发工程师做如下实验条件1:使用同一芯片而采用不同的封装形式,我们使用同一芯片封成以下三种形式:[图片]条件2:在同一时间内消耗同样的功率,为了能使MOSFET消耗同样的功率,我们需要设计一个恒功率的电路,如下电路图:[图片]此电路中我们设置:电源Vcc=18.11V电流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W条件3:一个密闭的环境内我们采用的是一个小纸盒,尺寸如下:长*宽*高=130mm*100mm*55mm[图片]首先,我们按照条件2调试好电源电压和流过MOSFET的电流,如下图:[图片]电源电压设置为18.11V,调整电路参数使得流过MOS管的电流Id=0.5A,因此,此时MOSFET共消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W其次,分别换装不同的MOSFET并按照相同的方式粘贴温度检测线,其中传统的TO-220我们采用了两种不同的绝缘片,分别为:第一种:市面上最常见的硅胶绝缘片,厚度0.3mm;温度线粘贴如下图:[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度第二种:目前电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。温度线粘贴如下图:[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度换装全包封TO-220F时的温度线粘贴图片注意:为了以后能和其他MOSFET有效对比漏极HS的温度CH2测试点的环氧树脂需要被处理掉![图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度换装绝缘版TO-220S时的温度线粘贴图片[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度最后均按照下面的方式放入条件4中的小纸盒内,测试前折叠好纸盒并通过温度测试仪保存每种状态的温度数据。[图片]最后见证奇迹的时刻到了考虑实验误差的情况下,4种情况下管脚2的温度几乎差不多(几种封装的管脚2与晶圆的热阻几乎相同)。[图片]实验结果可以看出:半包封TO-220ABMOSFET+黄色绝缘片的散热效果最好,其次是内绝缘TO-220SMOSFET,然后是半包封TO-220ABMOSFET+蓝色绝缘片,最差的是全包封TO-220FMOSFET。所以内绝缘TO-220SMOSFET的散热性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黄色绝缘片和蓝色绝缘片之间。该结果符合理论上的热阻计算。[图片]

内绝缘TO-220S MOSFET的可靠性

1.IOL功率循环可靠性试验,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用试验条件(VDS=21V, VG=1V, 3.5min on/off, 4286cys,管脚温度约110度),TO220S型号均能通过500hrs可靠性测试

2.到2014年12月为止,总计出货超过1.3KK PCS TO-220S封装,无异常反馈

TO-220S产品列表

** 以上所有产品的绝缘耐压等级:大于1500VAC,100%测试。

** 如果您对以上产品感兴趣,可与锐骏半导体联系,申请您所需要产品的样品。

** 锐骏半导体可根据市场需要,设计生产更多TO-220S内绝缘封装产品。

有您的支持与陪伴, 我们将更加专注于产品的创新, 尽我所能,为您做到最好, 我们将以此回报您!

深圳市锐骏半导体有限公司

深圳总部电话:0755-82907976    

传真:0755-83114278

E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 

网址:http://www.ruichips.com

电源网锐骏版块:http://www.dianyuan.com/bbs/ruichips/ 

通讯地址:深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼

邮编:518057

最后感谢大家对锐骏半导体的支持!

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2015-03-03 09:11
@老梁头
内绝缘TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循环可靠性试验,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用试验条件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管脚温度约110度),TO220S型号均能通过500hrs可靠性测试2.到2014年12月为止,总计出货超过1.3KKPCSTO-220S封装,无异常反馈TO-220S产品列表[图片]**以上所有产品的绝缘耐压等级:大于1500VAC,100%测试。**如果您对以上产品感兴趣,可与锐骏半导体联系,申请您所需要产品的样品。**锐骏半导体可根据市场需要,设计生产更多TO-220S内绝缘封装产品。有您的支持与陪伴,我们将更加专注于产品的创新,尽我所能,为您做到最好,我们将以此回报您!深圳市锐骏半导体有限公司深圳总部电话:0755-82907976  传真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 网址:http://www.ruichips.com电源网锐骏版块:http://www.dianyuan.com/bbs/ruichips/ 通讯地址:深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼邮编:518057最后感谢大家对锐骏半导体的支持!
占一楼鼓掌!~
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fsxqw
LV.9
7
2015-03-03 21:37
@电源网-娜娜姐
占一楼鼓掌!~
恭喜锐骏又出新品!
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2015-03-04 10:27
@老梁头
内绝缘TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循环可靠性试验,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用试验条件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管脚温度约110度),TO220S型号均能通过500hrs可靠性测试2.到2014年12月为止,总计出货超过1.3KKPCSTO-220S封装,无异常反馈TO-220S产品列表[图片]**以上所有产品的绝缘耐压等级:大于1500VAC,100%测试。**如果您对以上产品感兴趣,可与锐骏半导体联系,申请您所需要产品的样品。**锐骏半导体可根据市场需要,设计生产更多TO-220S内绝缘封装产品。有您的支持与陪伴,我们将更加专注于产品的创新,尽我所能,为您做到最好,我们将以此回报您!深圳市锐骏半导体有限公司深圳总部电话:0755-82907976  传真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 网址:http://www.ruichips.com电源网锐骏版块:http://www.dianyuan.com/bbs/ruichips/ 通讯地址:深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼邮编:518057最后感谢大家对锐骏半导体的支持!
帖子不错哦,推荐到帖子底部经典图库。更多请点击:http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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sky.yao
LV.2
9
2015-03-04 11:02
@电源网-fqd
帖子不错哦,推荐到帖子底部经典图库。更多请点击:http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
锐骏,创意无限
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Q403920015
LV.6
10
2015-03-04 15:12
这种工艺别的牌子早就有了哦
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老梁头
LV.10
11
2015-03-04 18:21
@sky.yao
锐骏,创意无限[图片]
谢谢大家的支持!如有有意向可以联系锐俊半导体申请样片试用。
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ximeng
LV.6
12
2015-03-06 16:37
@老梁头
内绝缘TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循环可靠性试验,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用试验条件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管脚温度约110度),TO220S型号均能通过500hrs可靠性测试2.到2014年12月为止,总计出货超过1.3KKPCSTO-220S封装,无异常反馈TO-220S产品列表[图片]**以上所有产品的绝缘耐压等级:大于1500VAC,100%测试。**如果您对以上产品感兴趣,可与锐骏半导体联系,申请您所需要产品的样品。**锐骏半导体可根据市场需要,设计生产更多TO-220S内绝缘封装产品。有您的支持与陪伴,我们将更加专注于产品的创新,尽我所能,为您做到最好,我们将以此回报您!深圳市锐骏半导体有限公司深圳总部电话:0755-82907976  传真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 网址:http://www.ruichips.com电源网锐骏版块:http://www.dianyuan.com/bbs/ruichips/ 通讯地址:深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼邮编:518057最后感谢大家对锐骏半导体的支持!
希望大管子也做成这种方式,简化散热片安装方式
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hfaqdz
LV.2
13
2015-03-07 10:28
@fsxqw
恭喜锐骏又出新品!

找个沙发坐坐

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cyfeng24
LV.5
14
2015-03-09 20:55
@老梁头
TO-220热阻从上面的装配工艺看,内绝缘新型TO-220SMOSFET相当于把传统型TO-220ABMOSFET安装在HeatSink上时的绝缘片做到了MOS管内部,因此导致结温到Case的热阻变大,但却因安装在HeatSink时不再需要绝缘片而降低了Case到HeatSink的热阻,只要我们能在以下几个条件下测试HeatSink上的温度就能说明那种封装的总热阻小:1.使用同一芯片而采用不同的封装形式;2.在同一时间内消耗同样的功率;3.使同一个HeatSink;4.一个密闭的环境内;最终HeatSink温度越高的说明热量越容易传递到HeatSink,证明总热阻越小[图片]三种MOS封装实验对比为了对比TO-220AB,TO-220F和绝缘版TO-220SMOSFET的散热性能(热阻),我们请研发工程师做如下实验条件1:使用同一芯片而采用不同的封装形式,我们使用同一芯片封成以下三种形式:[图片]条件2:在同一时间内消耗同样的功率,为了能使MOSFET消耗同样的功率,我们需要设计一个恒功率的电路,如下电路图:[图片]此电路中我们设置:电源Vcc=18.11V电流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W条件3:一个密闭的环境内我们采用的是一个小纸盒,尺寸如下:长*宽*高=130mm*100mm*55mm[图片]首先,我们按照条件2调试好电源电压和流过MOSFET的电流,如下图:[图片]电源电压设置为18.11V,调整电路参数使得流过MOS管的电流Id=0.5A,因此,此时MOSFET共消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W其次,分别换装不同的MOSFET并按照相同的方式粘贴温度检测线,其中传统的TO-220我们采用了两种不同的绝缘片,分别为:第一种:市面上最常见的硅胶绝缘片,厚度0.3mm;温度线粘贴如下图:[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度第二种:目前电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。温度线粘贴如下图:[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度换装全包封TO-220F时的温度线粘贴图片注意:为了以后能和其他MOSFET有效对比漏极HS的温度CH2测试点的环氧树脂需要被处理掉![图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度换装绝缘版TO-220S时的温度线粘贴图片[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度最后均按照下面的方式放入条件4中的小纸盒内,测试前折叠好纸盒并通过温度测试仪保存每种状态的温度数据。[图片]最后见证奇迹的时刻到了考虑实验误差的情况下,4种情况下管脚2的温度几乎差不多(几种封装的管脚2与晶圆的热阻几乎相同)。[图片]实验结果可以看出:半包封TO-220ABMOSFET+黄色绝缘片的散热效果最好,其次是内绝缘TO-220SMOSFET,然后是半包封TO-220ABMOSFET+蓝色绝缘片,最差的是全包封TO-220FMOSFET。所以内绝缘TO-220SMOSFET的散热性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黄色绝缘片和蓝色绝缘片之间。该结果符合理论上的热阻计算。[图片]
第二种:电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。这种叫什么绝缘片?是不是有一面背胶的。
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hfaqdz
LV.2
15
2015-03-10 10:23
@cyfeng24
第二种:电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。这种叫什么绝缘片?是不是有一面背胶的。
黄金纸、导热硅胶片也有黄色!可以有粘性也可以没有。背胶既有。。。。。。。。。。。。。。参考
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老梁头
LV.10
16
2015-03-10 20:16
@cyfeng24
第二种:电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。这种叫什么绝缘片?是不是有一面背胶的。
聚酯薄膜类的,不带背胶。
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jy427528
LV.2
17
2015-03-11 17:01
我以前做的一款逆变电源里,用的陶瓷绝缘片,效果也不错。
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tai1213
LV.4
18
2015-03-22 22:09
@老梁头
谢谢大家的支持!如有有意向可以联系锐俊半导体申请样片试用。
想申请20个RU1H140R3试试~有什么要求没?
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zhouqh1
LV.2
19
2015-03-29 21:04
@老梁头
内绝缘TO-220SMOSFET的可靠性1.IOL功率循环可靠性试验,RUPAK(TO220S)沿用半包封TO220的通用试验条件(VDS=21V,VG=1V,3.5minon/off,4286cys,管脚温度约110度),TO220S型号均能通过500hrs可靠性测试2.到2014年12月为止,总计出货超过1.3KKPCSTO-220S封装,无异常反馈TO-220S产品列表[图片]**以上所有产品的绝缘耐压等级:大于1500VAC,100%测试。**如果您对以上产品感兴趣,可与锐骏半导体联系,申请您所需要产品的样品。**锐骏半导体可根据市场需要,设计生产更多TO-220S内绝缘封装产品。有您的支持与陪伴,我们将更加专注于产品的创新,尽我所能,为您做到最好,我们将以此回报您!深圳市锐骏半导体有限公司深圳总部电话:0755-82907976  传真:0755-83114278E-mail:Sales-SZ@ruichips.com 网址:http://www.ruichips.com电源网锐骏版块:http://www.dianyuan.com/bbs/ruichips/ 通讯地址:深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼邮编:518057最后感谢大家对锐骏半导体的支持!
司令你好!那个RU6099怎么申请?单价多少?有没起批量限制?
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老梁头
LV.10
20
2015-03-30 10:09
@zhouqh1
司令你好!那个RU6099怎么申请?单价多少?有没起批量限制?
你好!你可以联系我们锐骏半导体 通讯地址: 广东省深圳市南山区 南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼 邮政编码: 518049 联系电话: (86-0755) 8290-7976 公司传真: (86-0755) 8311-4278 E-mail: Sale-SZ@ruichips.com 网址:http://www.ruichips.com/ 上海办事处 通讯地址: 上海市闵行区萃庄镇疏影路789弄宝安新苑59号602室 联系电话: (86-021)3201-3632 也可以加入群263357080或者留下你的联系方式
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sky.yao
LV.2
21
2015-03-30 16:47
@jy427528
我以前做的一款逆变电源里,用的陶瓷绝缘片,效果也不错。
成本得多高啊!!!
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sky.yao
LV.2
22
2015-03-30 16:48
@zhouqh1
司令你好!那个RU6099怎么申请?单价多少?有没起批量限制?
请联系13509637655  姚先生
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sky.yao
LV.2
23
2015-03-30 16:48
@tai1213
想申请20个RU1H140R3试试~有什么要求没?
可以联系我,13509637655  姚先生
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bpyanyu
LV.8
24
2015-04-02 09:19
@老梁头
锐骏半导体通过不断的研究创新,研发出新型的内绝缘MOSFET–TO-220S封装;TO-220S–内绝缘MOSFET:就是使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOS管背部散热片相互隔离的一种新型封装,最终目的是将MOS管的漏极与其背部散热片之间达到电气隔离;目前锐骏推出的TO-220S封装的绝缘耐压等级为高于1500V,并保证100%测试(VISO=150VAC,Time=0.8s,ISOL
原来散热片和中间的脚是一个整体,现在是把他们分开然后增加了绝缘是吧?
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老梁头
LV.10
25
2015-04-02 15:04
@bpyanyu
原来散热片和中间的脚是一个整体,现在是把他们分开然后增加了绝缘是吧?
基本是这个原理,但工艺不是很简单的
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samsung陈
LV.8
26
2015-05-09 15:47
@老梁头
TO-220热阻从上面的装配工艺看,内绝缘新型TO-220SMOSFET相当于把传统型TO-220ABMOSFET安装在HeatSink上时的绝缘片做到了MOS管内部,因此导致结温到Case的热阻变大,但却因安装在HeatSink时不再需要绝缘片而降低了Case到HeatSink的热阻,只要我们能在以下几个条件下测试HeatSink上的温度就能说明那种封装的总热阻小:1.使用同一芯片而采用不同的封装形式;2.在同一时间内消耗同样的功率;3.使同一个HeatSink;4.一个密闭的环境内;最终HeatSink温度越高的说明热量越容易传递到HeatSink,证明总热阻越小[图片]三种MOS封装实验对比为了对比TO-220AB,TO-220F和绝缘版TO-220SMOSFET的散热性能(热阻),我们请研发工程师做如下实验条件1:使用同一芯片而采用不同的封装形式,我们使用同一芯片封成以下三种形式:[图片]条件2:在同一时间内消耗同样的功率,为了能使MOSFET消耗同样的功率,我们需要设计一个恒功率的电路,如下电路图:[图片]此电路中我们设置:电源Vcc=18.11V电流Id=0.5A,因此,MOSFET消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W条件3:一个密闭的环境内我们采用的是一个小纸盒,尺寸如下:长*宽*高=130mm*100mm*55mm[图片]首先,我们按照条件2调试好电源电压和流过MOSFET的电流,如下图:[图片]电源电压设置为18.11V,调整电路参数使得流过MOS管的电流Id=0.5A,因此,此时MOSFET共消耗的功率为:P=(18.11-0.11)*Id=9W其次,分别换装不同的MOSFET并按照相同的方式粘贴温度检测线,其中传统的TO-220我们采用了两种不同的绝缘片,分别为:第一种:市面上最常见的硅胶绝缘片,厚度0.3mm;温度线粘贴如下图:[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度第二种:目前电动自行车控制器常用的黄色绝缘片,厚度0.08mm。温度线粘贴如下图:[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度换装全包封TO-220F时的温度线粘贴图片注意:为了以后能和其他MOSFET有效对比漏极HS的温度CH2测试点的环氧树脂需要被处理掉![图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度换装绝缘版TO-220S时的温度线粘贴图片[图片]CH1:漏极(2脚)温度CH2:MOS管漏极HSCH3:总HS温度CH4:环境温度最后均按照下面的方式放入条件4中的小纸盒内,测试前折叠好纸盒并通过温度测试仪保存每种状态的温度数据。[图片]最后见证奇迹的时刻到了考虑实验误差的情况下,4种情况下管脚2的温度几乎差不多(几种封装的管脚2与晶圆的热阻几乎相同)。[图片]实验结果可以看出:半包封TO-220ABMOSFET+黄色绝缘片的散热效果最好,其次是内绝缘TO-220SMOSFET,然后是半包封TO-220ABMOSFET+蓝色绝缘片,最差的是全包封TO-220FMOSFET。所以内绝缘TO-220SMOSFET的散热性能比全包封TO-220F好,介于半包封TO-220AB+黄色绝缘片和蓝色绝缘片之间。该结果符合理论上的热阻计算。[图片]

这个贴中有两幅图是一样的,看介绍应该有一张是采用蓝色的绝缘垫的,是不是上错图了?

不过个人认为,220F封装和片内绝缘应该可以做到同一散热效果,或者更好,片内绝缘是焊接硅片底板和散热片有一层绝缘层,这个绝缘层必须保证导热效果,还要保证绝缘。如果220F封装的做大焊接硅片的底板,然后,外封绝缘层厚度降到和片内绝缘的绝缘层一样的厚度,一样的导热效果,那会是什么样的效果

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老梁头
LV.10
27
2015-05-10 21:16
@samsung陈
这个贴中有两幅图是一样的,看介绍应该有一张是采用蓝色的绝缘垫的,是不是上错图了?不过个人认为,220F封装和片内绝缘应该可以做到同一散热效果,或者更好,片内绝缘是焊接硅片底板和散热片有一层绝缘层,这个绝缘层必须保证导热效果,还要保证绝缘。如果220F封装的做大焊接硅片的底板,然后,外封绝缘层厚度降到和片内绝缘的绝缘层一样的厚度,一样的导热效果,那会是什么样的效果
是上错了,应该是硅胶片的
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