交流整流的时候，把电容充电到峰值后，二极管在余下的时候是不导通的，但是负载是一直在消耗的，这时候的输出电压跟负载和时间成反比跟电容值成正比，用示波器去观察的话会观察到输出电压是一个2倍于交流频率的三角波叠加在直流上，用万用表去测量的话出来的值是有效值，所以不能有效反映输出电压的变化。从你描述的情况来看应该是你的输出电容太小了，你把输出电容增加到470uF甚至是4700uF，这样纹波电压会非常小，再用万用表去测量电压应该电压就高了

只能说明你接触的少

3-4是辅助绕组吗吧，试试把这个绕组放在初级和次级之间看看有没有影响

看你波形，计算频率在10K，在20K以下比较容易有噪声，建议把频率调整到20K以上，另外测量一下输出的纹波，如果输出纹波有低频的噪声幅度比较大，就是环路没有调整好，先计算好电感，开关频率，电流检测电阻都确认参数没问题的话就要调整环路补偿参数了，这个比较麻烦，需要有一定的理论，并且要慢慢调试。另外，3842这个芯片需要一定的假负载，建议假负载能放到0.5W的话比较好

从问题可以看出来你没学好模拟或没学过模拟MOS管可以看成一个压控电阻，在放大区的时候RDS和VGS成线性关系，超出放大区的时候MOS完全导通，此时在MOS上的损耗=I^2*Rds，RDS此时基本是不变的，可以看成是一个常量，所以他的斜率就是RDS.而三极管是非线性元件，饱和导通的时候VCE压降与ICE电流无关，所以三极管上的损耗=ICE*VCE，VCE在驱动电流超过一定值时也是基本不变的，也可以看成一个常量，所以你懂的。IGBT属于三极管和MOS管的结合的一个元件，用电压驱动，但VCE与三极管的是一样的，所以它的损耗=ICE*VCE，与三极管的计算是一样的

此方法不实用，从没在充电器电量检测中采用过这种方法，因为充电器电流很大，而且电池在无充电电流的情况下是缓慢下降的，并不是一下降低，所以最好是根据电池的VI曲线用MCU来计算电量，另外可以结合充电电压和电流来估算电量

此方法不行，你并联这个没什么用处，充电时，因为电池特性，比不充电时电压高的，只能检测充电电压，然后在根据充电曲线自己设定参数

感觉你有点火！咱们讨论问题不要带这么强烈的语气，不利于讨论。过认证很多啊，看你过哪种的了！你要说便宜用个203不是更便宜，才几毛钱国产的DIP8封装的反激芯片现在一线厂家也很成熟类似OB2538SSR或OB2358PSR的方案很多啊，只要降下电压来都可以用，你这种电容降压的能做多大功率，需要看实际应用，小功率的这种辅助用个2263和高压MOS最简单和普通反激一样的，没啥区别.

没必要去电阻，下边说的R7太大了，也有可能不过改为20K左右应该可以，不知道是不是根本原因

10W辅助电源看到这个贴子和我的想法很相似，还能得奖不错，我到是没想到发个贴文件是我的10W辅助电源，已经批量生产不过输出两路是非隔离的，有需要可以联系我