【我是工程师】深入理解MOSFET规格书/datasheet

先附上IPP60R190C6 datasheet

IPP60R190C6-DS-v02_02-EN.pdf

对于MOSFET Datasheet上的参数，你最关心的是哪一个/几个：

VDS？ID？RDS(on)？Vgs(th)？封装？Ciss,Coss？Qgs,Qgd,Qg？体二极管？雪崩？……

没人回应

那我就从VDS开始吧！

datasheet上电气参数第一个就是V(BR)DSS，即DS击穿电压，也就是我们关心的MOSFET的耐压

此处V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态？

相信很多人的答案是“是！”，曾经我也是这么认为的，但这个正确答案是“不是！”

这个参数是有条件的，这个最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃时，MOSFET上电压不超过600V才算是工作在安全状态。

MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的，其实datasheet上有一张V(BR)DSS与Tj的关系图（Table 17），如下：

要是电源用在寒冷的地方，环境温度低到-40℃甚至更低的话，MOSFET V(BR)DSS值<560V，这时候600V就已经超过MOSFET耐压了。

所以在MOSFET使用中，我们都会保留一定的VDS的电压裕量，其中一点就是为了考虑到低温时MOSFET V(BR)DSS值变小了，另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰

说到电流，那么接下来就开始看ID

相信大家都知道MOSFET最初都是按xA, xV的命名方式（比如20N60~），慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如IPx60R190C6, 190就是指Rds(on)~).

其实从电流到Rds(on)这种命名方式的转变就表明ID和Rds(on)是有着直接联系的，那么它们之间有什么关系呢？

在说明ID和Rds(on)的关系之前，先得跟大家聊聊封装和结温：

1. 封装：影响我们选择MOSFET的条件有哪些？

a) 功耗跟散热性能 -->比如：体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗；铁封比塑封的散热性能更好

b) 对于高压MOSFET还得考虑爬电距离 -->高压的MOSFET就没有SO-8封装的，因为G/D/S间的爬电距离不够

c) 对于低压MOSFET还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值

d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源，贴片MOSFET就显得有优势了

2.  结温：MOSFET的最高结温Tj_max=150℃，超过此温度会损坏MOSFET，实际使用中建议不要超过70%~90% Tj_max.

回到正题，MOSFET ID和Rds(on)的关系:

(1) 封装能够承受的损耗和封装的散热性能(热阻)之间的关系

(2) MOSFET通过电流ID产生的损耗

(1), (2)联立，计算得到ID和Rds_on的关系

其实ID只是个参考值，损耗【ID*Rds(on)^2】引起的温升超过Tj_max才是MOSFET坏掉最终原因

Rds(on)

从MOSFET Rds(on)与Tj的图表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正温度系数，MOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。

Vgs(th)

相信这个值大家都熟悉，但是Vgs(th)是负温度系数有多少人知道，你知道吗？(下面两图分别来自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)

相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性，这也是正常的，因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图，这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高温时也就到2V左右。但对于低压MOSFET就有点不一样了，很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V，高温时最低都要接近0.8V了，这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。

所以，低压MOSFET使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性！！

睡觉

这个参数我一直不知道什么意思。 100V 100Amos  但是不是每个手册里面都有这个参数的

并不是这样的，每个MOSFET都得有自己的驱动电阻，建议最好每个驱动电阻再串联一个小磁珠