【背景】最近在试制一款3.3V工作电压单片机控制的太阳能充电器，设计使用了NMOS作为功率器件，MOS管S极接地，G极需要4.5V至10V范围的驱动可以正常工作。
【摘要】我是新手，最开始使用了网络上词频较高的图腾柱结构，但由于PWM电压低，驱动效果不佳。于是自行对PNP的偏置进行了设计，在仿真上达到一定效果，想请教前辈，是否合理，可以如何改进。
传统图腾柱结构连接及仿真效果如下图
Multisim仿真时，输入PWM幅度设置为3.3V，Multisim应该是不支持小数，将其和谐为5V。我分析为高电平器件，N管Q1导通，P管Q2的B极为5V，E极为12V，导致PNP导通，E极降至5V时，PNP不导通，所以输出并没有放大。
修改后的连接和仿真效果如下图
这种连接确在仿真上有一定放大效果，不过不太明显，也不确定电路是否安全合理，希望有前辈指点一下。
有一种双NPN管的改进型图腾柱，实验效果很好，但我想只用一对三极管，做出不倒相的MOS驱动，希望大神能出出招
