PSR变压器请教

最近用PSR做一款输出14V1.8A的充电器。芯片是PL3532A+MOS:4N60，EF25+PC40磁芯。NP:60，NS:12，NV:14，考虑三明治绕法，不知屏蔽要从何下手，是加在NV的地，还是加在NP,各有什么不同，望指教！

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LV.8

2015-06-30 18:34

反馈的低大电容的负

LV.6

2015-10-15 15:59

@mark jia

反馈的低大电容的负

加在NP，主要是将原边的共模干扰信号通过屏蔽层返回到大地，如果不加在NP，会有一部分共模信号通过初级间的层间电容传递到次级，从而引响输出端EMI问题！

LV.8

2015-10-16 08:05

@andy6

接输入电容的地，这样比较有利于EMI

LV.8

2015-10-16 22:24

@wj_12691495

接输入电容的地，这样比较有利于EMI

FT0353SF.pdf 用内置 COOL MOS吧,做14V 2A都没问题,价格才 1.0

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