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求大神帮我分析下热损耗

求大神帮我分析下热损耗

各位大神，我BOOST电路（不包括IC部分）感觉损耗有点大，，输出12V,输出36V，带0.6A负载，输入电流1.98A，输出功率21.6W，输入功率23.76W,损耗了2.16W,个人感觉有点大，是开关频率高了吗？（40khz），还是MOS损耗过大了吗?(IRF3525)，，，，，我用的是同步整流

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LV.3

2

2015-07-27 22:51

mos管烫吗？看看mos管栅极波形，拍张照，看一下上升时间有多少

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LV.4

3

2015-07-27 22:53

@NoTraum

mos管烫吗？看看mos管栅极波形，拍张照，看一下上升时间有多少

60摄氏度，波形还好，上升时间800ns

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4

2015-07-27 23:02

拓扑结构是什么样的？

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LV.3

5

2015-07-27 23:20

@胡浩

60摄氏度，波形还好，上升时间800ns

800ns？太长了吧，表示至多500ns，300ns就够长了，这样mos管线性区损耗太大了吗。你这输出电流也不大啊，60°有点热了吧，mos管损耗还是挺大的，用什么IC，上原理图吧，如果是同步降压IC，还是轻载状态下效率一般可以达到95%以上

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LV.4

6

2015-07-28 01:06

@Constance

拓扑结构是什么样的？

同步boost

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LV.4

7

2015-07-28 01:07

@NoTraum

800ns？太长了吧，表示至多500ns，300ns就够长了，这样mos管线性区损耗太大了吗。你这输出电流也不大啊，60°有点热了吧，mos管损耗还是挺大的，用什么IC，上原理图吧，如果是同步降压IC，还是轻载状态下效率一般可以达到95%以上

用494，是同步boost

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LV.3

8

2015-07-28 11:22

@胡浩

用494，是同步boost

494本来是驱动三极管的，不知道为什么那么多人喜欢驱动mos，虽然可以用，但毕竟它本来不是干这个的，我也做过494+2104的，不过负载调整率太高了，根本稳不住，这个方案不是很好

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9

2015-07-28 11:45

@胡浩

同步boost

CCM?

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LV.4

10

2015-07-28 12:34

@Constance

CCM?

当然

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LV.4

11

2015-07-28 12:34

@NoTraum

494本来是驱动三极管的，不知道为什么那么多人喜欢驱动mos，虽然可以用，但毕竟它本来不是干这个的，我也做过494+2104的，不过负载调整率太高了，根本稳不住，这个方案不是很好

我的负载调整率就很低

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LV.3

12

2015-07-28 14:17

@胡浩

我的负载调整率就很低

我带3A的载。。。

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LV.4

13

2015-07-28 16:27

@NoTraum

我带3A的载。。。

好吧，那么请你给我推荐一款IC吧

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LV.3

14

2015-07-28 16:54

@胡浩

好吧，那么请你给我推荐一款IC吧

LM3478、TPS40210。。。我没用过同步升压的芯片，没法给你推荐，你可以自己加

我说494不适合用来驱动mos，但是效率还是可以高的上去的，你先找到效率低的原因吧，重新设计还不如优化现有的方案

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LV.4

15

2015-07-28 17:36

@NoTraum

LM3478、TPS40210。。。我没用过同步升压的芯片，没法给你推荐，你可以自己加我说494不适合用来驱动mos，但是效率还是可以高的上去的，你先找到效率低的原因吧，重新设计还不如优化现有的方案

具体原因我不知道，不过应该是下管mos造成的，上升时间一般为800ns，但有时会跳到1.6us，，，，

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LV.3

16

2015-07-28 18:51

@胡浩

具体原因我不知道，不过应该是下管mos造成的，上升时间一般为800ns，但有时会跳到1.6us，，，，

你是用什么驱动mos的2104、2110？

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LV.4

17

2015-07-28 20:51

@NoTraum

你是用什么驱动mos的2104、2110？

2103，真脆弱。。。。已经坏了4个了

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LV.3

18

2015-07-28 21:04

@胡浩

2103，真脆弱。。。。已经坏了4个了[图片]

。。。我用2104都没烧过啊，就是死区不可调有点麻烦

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LV.4

19

2015-07-28 22:02

@NoTraum

。。。我用2104都没烧过啊，就是死区不可调有点麻烦

我用2104也坏过，，，，，

，，，可能便宜没好货吧

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LV.3

20

2015-07-28 22:12

@胡浩

我用2104也坏过，，，，，[图片]，，，可能便宜没好货吧

。。。

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LV.4

21

2015-07-29 08:13

@NoTraum

。。。

我看资料上tr典型值为100ns，可是我测了下板子上芯片pwm输出tr400ns，然后给2103变成了800ns（不知道是不是增加了死区时间）

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LV.4

22

2015-07-29 08:19

@NoTraum

。。。

而且不知道为什么下管总比上管烫（上管一点都不烫），是不是boost拓扑决定的？

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LV.3

23

2015-07-29 09:11

@胡浩

而且不知道为什么下管总比上管烫（上管一点都不烫），是不是boost拓扑决定的？

是2103造成的，2103自带死区，但理论上两个管子的死区时间应该相同，两个栅极布线长度最好一样长

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