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求大神帮我分析下热损耗

各位大神,我BOOST电路(不包括IC部分)感觉损耗有点大,,输出12V,输出36V,带0.6A负载,输入电流1.98A,输出功率21.6W,输入功率23.76W,损耗了2.16W,个人感觉有点大,是开关频率高了吗?(40khz),还是MOS损耗过大了吗?(IRF3525),,,,,我用的是同步整流
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NoTraum
LV.3
2
2015-07-27 22:51
mos管烫吗?看看mos管栅极波形,拍张照,看一下上升时间有多少
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胡浩
LV.4
3
2015-07-27 22:53
@NoTraum
mos管烫吗?看看mos管栅极波形,拍张照,看一下上升时间有多少
60摄氏度,波形还好,上升时间800ns
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2015-07-27 23:02
拓扑结构是什么样的?
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NoTraum
LV.3
5
2015-07-27 23:20
@胡浩
60摄氏度,波形还好,上升时间800ns
800ns?太长了吧,表示至多500ns,300ns就够长了,这样mos管线性区损耗太大了吗。你这输出电流也不大啊,60°有点热了吧,mos管损耗还是挺大的,用什么IC,上原理图吧,如果是同步降压IC,还是轻载状态下效率一般可以达到95%以上
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胡浩
LV.4
6
2015-07-28 01:06
@Constance
拓扑结构是什么样的?
同步boost
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胡浩
LV.4
7
2015-07-28 01:07
@NoTraum
800ns?太长了吧,表示至多500ns,300ns就够长了,这样mos管线性区损耗太大了吗。你这输出电流也不大啊,60°有点热了吧,mos管损耗还是挺大的,用什么IC,上原理图吧,如果是同步降压IC,还是轻载状态下效率一般可以达到95%以上
用494,是同步boost
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NoTraum
LV.3
8
2015-07-28 11:22
@胡浩
用494,是同步boost
494本来是驱动三极管的,不知道为什么那么多人喜欢驱动mos,虽然可以用,但毕竟它本来不是干这个的,我也做过494+2104的,不过负载调整率太高了,根本稳不住,这个方案不是很好
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2015-07-28 11:45
@胡浩
同步boost
CCM?
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胡浩
LV.4
10
2015-07-28 12:34
@Constance
CCM?
当然
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胡浩
LV.4
11
2015-07-28 12:34
@NoTraum
494本来是驱动三极管的,不知道为什么那么多人喜欢驱动mos,虽然可以用,但毕竟它本来不是干这个的,我也做过494+2104的,不过负载调整率太高了,根本稳不住,这个方案不是很好
我的负载调整率就很低
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NoTraum
LV.3
12
2015-07-28 14:17
@胡浩
我的负载调整率就很低
我带3A的载。。。
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胡浩
LV.4
13
2015-07-28 16:27
@NoTraum
我带3A的载。。。
好吧,那么请你给我推荐一款IC吧
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NoTraum
LV.3
14
2015-07-28 16:54
@胡浩
好吧,那么请你给我推荐一款IC吧

LM3478、TPS40210。。。我没用过同步升压的芯片,没法给你推荐,你可以自己加

我说494不适合用来驱动mos,但是效率还是可以高的上去的,你先找到效率低的原因吧,重新设计还不如优化现有的方案

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胡浩
LV.4
15
2015-07-28 17:36
@NoTraum
LM3478、TPS40210。。。我没用过同步升压的芯片,没法给你推荐,你可以自己加我说494不适合用来驱动mos,但是效率还是可以高的上去的,你先找到效率低的原因吧,重新设计还不如优化现有的方案
具体原因我不知道,不过应该是下管mos造成的,上升时间一般为800ns,但有时会跳到1.6us,,,,
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NoTraum
LV.3
16
2015-07-28 18:51
@胡浩
具体原因我不知道,不过应该是下管mos造成的,上升时间一般为800ns,但有时会跳到1.6us,,,,
你是用什么驱动mos的2104、2110?
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胡浩
LV.4
17
2015-07-28 20:51
@NoTraum
你是用什么驱动mos的2104、2110?
2103,真脆弱。。。。已经坏了4个了
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NoTraum
LV.3
18
2015-07-28 21:04
@胡浩
2103,真脆弱。。。。已经坏了4个了[图片]
。。。我用2104都没烧过啊,就是死区不可调有点麻烦
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胡浩
LV.4
19
2015-07-28 22:02
@NoTraum
。。。我用2104都没烧过啊,就是死区不可调有点麻烦
我用2104也坏过,,,,,,,,可能便宜没好货吧
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NoTraum
LV.3
20
2015-07-28 22:12
@胡浩
我用2104也坏过,,,,,[图片],,,可能便宜没好货吧
。。。
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胡浩
LV.4
21
2015-07-29 08:13
@NoTraum
。。。

我看资料上tr典型值为100ns,可是我测了下板子上芯片pwm输出tr400ns,然后给2103变成了800ns(不知道是不是增加了死区时间)

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胡浩
LV.4
22
2015-07-29 08:19
@NoTraum
。。。
而且不知道为什么下管总比上管烫(上管一点都不烫),是不是boost拓扑决定的?
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NoTraum
LV.3
23
2015-07-29 09:11
@胡浩
而且不知道为什么下管总比上管烫(上管一点都不烫),是不是boost拓扑决定的?
是2103造成的,2103自带死区,但理论上两个管子的死区时间应该相同,两个栅极布线长度最好一样长
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