本人学生党一个，目前在做DC-DC变换，要求30v-12v之间转换，电路图手绘 波形也是手机拍的。
双向buck/boost 结构，MOSFET驱动用的是IR2111，输出一个互补的PWM波。开关频率200k
现在的问题主要有两个：
效率 和 电压尖峰
电压尖峰产生的原因是mos管开通和关断期间产生的电压震荡，输出电流越大，震荡越厉害。
下管（即对地的MOSFET）上采取了RCD吸收回路，还有一个0.4uh的电感，用于抑制MOS管动作时电流的突变。
若不加此小电感和RCD回路，30V的输出电压上会有10V左右的电压尖峰，给图：
效率虽然不高，但是也有75%左右。（在此也想问问，为什么效率这么低？ 如何增大效率？ 是电感和电容取值的问题吗？）
加了尖峰抑制电路后，尖峰明显降低，虽然还是有2V左右，但是效果很明显，然而无源RCD吸收电路将会增加功耗，效率降低至63%左右，
而且下管（即对地的MOSFET）发热量大增。
