反激 MOS Drain脚电压异常

NXP方案，满载工作在QR模式。初级MOS Drain电压异常。1为原理图，2、3为Drain脚电压和Rsense电流，4、5为Drain脚电压和栅极电压。

请问MOS关断之后连续的类似振荡的波形是怎么产生的，这个应该不是漏感和寄生电容的振荡，调节RCD基本没用。调了几天了，没有改善，求大神指点~

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电源网-fqd

2015-08-18 09:50

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

Rachelmi

LV.9

2015-08-18 17:30

顶起~

心如刀割

2015-08-19 10:28

漏感有多大？

减小漏感应该可以减小振荡的峰值。

并且可以偿试调节次级的吸收。

power_max

LV.1

2015-08-19 23:24

@心如刀割

漏感有多大？减小漏感应该可以减小振荡的峰值。并且可以偿试调节次级的吸收。

电感感值是420uH，之前漏感有12uH，换了三明治绕法之后有6uH，但是还是会出现这个振荡。次级现在用同步整流芯片驱动MOS，次级电流对应Drain脚振荡的时刻也会振荡的很厉害，尝试将次级同步整流芯片去掉直接用MOS体二极管去导通，同样会振荡。想不明白为什么在初级MOS关断之后，流过Rsense电阻的电流会有正有负，负方向可以理解为初级MOS的体二极管导通，但是正向电流的路径是怎样的？