IGBT的Vce-Ic的测试曲线与datasheet比较，放心使用昂贵的IGBT

   令： VS=0,  VGS=0 

用 恒流源对 D 充电， 用示波器看充电曲线

根据曲线，可计算 COSS

其实，这样测电容是不准确的，因为，管子没有开关的状态这个电容是非常小的，但在开关的状态的实际电容就非常大了，好惨陡然增大了，在同步整流可以看到，同时有二极管，如果输出同步开关管不工作时好像与二极管整流的电流波形一样，一旦开关了，陡然电流波形不大一样，就是陡然电容增大了，所以，实际开关状态的电容是比较大的，不开关时就非常小了。这个电容大了会产生一定的反向电流，llc在低于谐振频率之下就看得非常明显了，就是结电容作怪了，等于高于谐振频率是在大电流关断的，励磁的能量非常大，远远高于开关管结电容了，这个就难以明显的看到了，但励磁电流小了一些时看得比较清楚了，如果没有开关只是并联，二极管波形是一样的，一旦开关就不一样了，明显电容增大了。我是发现了这个问题的，所以，搞同步整流的频率不可以太高，要低一些，如果是输出整流管肖特基，那么频率可以非常高的，就是肖特基内部电容非常小，使用频率可以非常高的。

    二极管有导通关断存在反向的恢复时间，三极管与二极管相当，存在开关情况也好像存在反向恢复时间一样，不会立即关断的，存在一定的存储效应延时关断一样。

电容是变化的

电压越低，电容越大，

充电曲线，有点像抛物线，反应的就是动态特性