这个测不了。。。呵呵！这个可以测二极管、三极管、MOS管和分流器啊，有关V-I曲线的的参数测试！[图片]

楼上所说的1/4的电阻最高耐压多少，我觉得应该限定一下，比如，电阻的材料是什么，电阻的加工厂家是哪个….等等，作者在使用0.5W的高压电阻，两端加上5kV的高压，依旧没有出过问题，这个足以说明电阻这个东西，耐压差距实在太大了。高压电阻使用心得。电压反馈往往需要使用高压电阻，一个高压电阻的性能就决定了电源的稳定性。高压电阻的精度普遍受到加工厂家的影响，不同厂家，不同批次生产的不同类型高压电阻，它的性能都是有差距的。因此，关键电阻的选择，在焊接之前一定要进行测试。这里，作者使用HV-20KV高压电源测试高压电阻，主要测试耐压和在高压下的阻值变动情况。测试对象是玻璃釉电阻，红色的那种。给大家展示一下作者的玻璃釉电阻们。推荐一下高压电源HV-20KV，搞高压的工程师必备的仪器。[图片]大大小小的玻璃釉电阻，是组成各种高压设备的基本元器件，这些器件的好坏直接影响到设备的稳定性。随便从中挑选除了100Mohm的5W的一只高压玻璃釉电阻进行高压测试。HV-20KV高压电源输出高压电阻的电压是6000V，测试电阻为100Mohm，通过测试，万用表测试电流为58.93uA，高压电阻在高压下的阻值为：6000/58.9=101.86Mohm。对这个电阻的完美测试应该是在多个电压下测试，包括500、1000、1500、2000、2500、3000、3500、4000、4500、5000、5500、6000等这些电压下的测试，然后绘制出一条伏安曲线，了解这个电阻的阻值变化情况。细心的人注意到，测试中使用了一个电容和万用表并联，这个是防止电阻被击穿后，电流过大，损耗万用表，通过容量较大的电容进行旁路，保护万用表的。这里可以参考一下这篇文章，它使用HV-20KV测试常用高压器件的耐压，然后给出图片和测试结果。http://wenku.baidu.com/view/5b5e902ab4daa58da0114a86.html

高压陶瓷电容使用心得体会。高压瓷片电容的容量和耐压和标称值差距太大了，现在还记忆颇深。在80kV500W的一个高压静电纺丝电源中，我试图在被压电路中采用瓷片电容，当时选择了20kV103的高压瓷片，这个应该是很猛的一个陶瓷电容了，倍压电路的pcb都做完了，焊接上调试了，不知道怎么回事，陶瓷电容总是被击穿，当时陶瓷电容的两端电压只用到了15kv，这个问题困扰我一个星期。没有解决办法的情况下，我使用HV-20KV电源，它能够输出20kV的高压，而且不怕短路，非常适合电容耐压测试。当调节HV-20KV电源到12kV输出时，瓷片电容两个管腿之间就开始打火了，巨响之后，测试电容还没有坏，为了能够上到更高的电压，使用热缩管，将两条腿绝缘距离增大，然后将HV-20KV电源输出调节到20kV，两腿间没有出现打火，但是经过HV-20KV的2分钟时间耐压测试，万万没有想到，20kV电容一下将HV-20KV的输出电压拉到了1020V。得到一个结论，陶瓷电容在高压的时候，使用应该非常小心，必须经过测试，而且是大批量的测试，才能用于灌封使用（这里觉得HV-20KV的测试仪器非常实用，给搞高压的工程师推荐一下）。后来我使用47220kV的薄膜电容，替换高压瓷片电容，被压模块被击穿的问题才得以解决了。

我看了一下，可以试着吧输出滤波电容的初始电压提高到300V,这样就消除了仿真初期的电流峰。

我也找了好长时间,没有找到,麻烦您也给发一个呗!谢谢:email:huyonghong11@163.com

推荐“高频变压器的设计与制作"2815481219069445.pdf“高频变压器漏抗对IGBT逆变电源工作状态的影响"2815481219069482.pdf

改为4+4的话会减少尖峰脉冲,但是初级多的原因是48V直流输入,匝数还不能改.我觉得分析漏感或其他引起尖峰脉冲的原因是不是得从波形出发呀!会不会与磁芯材料有关系呀?

仔细看尖峰脉冲的细微结构,可以发现尖峰脉冲过后紧跟者400ns左右时间的高电平,然后有850ns左右的自由震荡.这是为什么呢?

电源的尖峰脉冲过高,怕烧毁vmos,现在输入电压仅为5v,所以管子只是热而已.

同意变压器的绕法应该“先初后次或初次初或初次初次绕”.但是你提到的“C7正极离变压器中心抽头太远,负极离MOS的s极太远”这点我已经考虑了,并且深知变压器的漏感和导线的分布电感对尖峰脉冲的影响了.在mosfet和变压器还有c7之间的导线已经短到2cm-3cm的导线长度了.