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同步整流buck-boost波形求救~

用单片机产生两路互补的PWM波,通过驱动芯片UCC27324,再加上驱动变压器以及外围的电路,加到MOS管的gs两端。在主电路没有加输入的时候,两管的驱动信号正常。但是主电路加电后,下管的MOS管的驱动波形就会出现尖峰,并会随着输入电压的升高而加大。导致输入电压不能加得太高,一旦过高,就会烧MOS管。MOS管的型号是STS7NF60L.

麻烦大神们帮我看看,纠结了1周,还没有解决。我要做的是反相BUCK-BOOST级联,现在第一级都没调通,哭。。。女生好无力

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liu_yaer
LV.6
2
2015-08-26 17:56
赞,美女
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Vicky1023
LV.2
3
2015-08-26 20:53
@liu_yaer
赞,美女
求救~~不要赞啊
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hi_man
LV.1
4
2015-08-26 22:12
@Vicky1023
求救~~不要赞啊[图片]
来个原理图,好分析
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2015-08-27 10:17
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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ww112
LV.1
6
2015-08-27 11:58
上管的开通的瞬间会让下管的DS的电压瞬间到输入的直流电压,驱动电阻多大。
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H_K_T
LV.3
7
2015-08-27 12:10
貌似是弥勒电容惹的祸,试试用小寄生电容的MOS管,减小栅极驱动电阻,加强驱动,看图在200nS一格都能看出明显的上升下降沿,说明驱动还是不够强,尽量让上升下降沿在100nS以内,50nS左右最好不过了,多试试。
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Vicky1023
LV.2
8
2015-09-02 11:00
@ww112
上管的开通的瞬间会让下管的DS的电压瞬间到输入的直流电压,驱动电阻多大。
原边驱动电阻10R,副边3.3R。
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Vicky1023
LV.2
9
2015-09-02 11:01
@H_K_T
貌似是弥勒电容惹的祸,试试用小寄生电容的MOS管,减小栅极驱动电阻,加强驱动,看图在200nS一格都能看出明显的上升下降沿,说明驱动还是不够强,尽量让上升下降沿在100nS以内,50nS左右最好不过了,多试试。
gs间的电阻是10k,驱动变压器室两股并行绕了45圈,够吗?
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Vicky1023
LV.2
10
2015-09-02 11:07
@hi_man
来个原理图,好分析

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2015-09-02 12:56
@Vicky1023
gs间的电阻是10k,驱动变压器室两股并行绕了45圈,够吗?

看波形,好像是Q1打开的时候影响的,你多挂几个波形去找找。

是不是Q1打开了,有电流之后其他的元件或者地什么的被影响了。

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Vicky1023
LV.2
12
2015-09-02 13:11
@417zhouge
看波形,好像是Q1打开的时候影响的,你多挂几个波形去找找。是不是Q1打开了,有电流之后其他的元件或者地什么的被影响了。
好的,我再看看。我再问下,这个小尖峰的时间会导致两管共通?现在是两个管子都会烧掉。谢谢
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2015-09-02 14:00
@Vicky1023
好的,我再看看。我再问下,这个小尖峰的时间会导致两管共通?现在是两个管子都会烧掉。谢谢

Q1打开时,Q3的小尖峰应该差不多3V了(示波器探头比例没有调对),Q3会开始导通,先进入放大区,

如果按你说的电压越高,那小尖峰应该也越高,Q3的损耗就等于I*U。温度上升很快,之后就烧死了。

Q3烧死后变成了短路,Q1导通的时候相当于直接把电源短路了。然后Q1也死了。

GS之间的电子10K改为1K试试,测试下波形,如果是干扰造成的,1K电阻基本就没有那么高的波形了。

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Vicky1023
LV.2
14
2015-09-02 20:39
@417zhouge
Q1打开时,Q3的小尖峰应该差不多3V了(示波器探头比例没有调对),Q3会开始导通,先进入放大区,如果按你说的电压越高,那小尖峰应该也越高,Q3的损耗就等于I*U。温度上升很快,之后就烧死了。Q3烧死后变成了短路,Q1导通的时候相当于直接把电源短路了。然后Q1也死了。GS之间的电子10K改为1K试试,测试下波形,如果是干扰造成的,1K电阻基本就没有那么高的波形了。
谢谢详细的解答,让我对电路更加地理解。我想请问驱动变压器一般是绕多少圈为宜?我绕了两种,一种是双股并行45圈,另一种是双股并行78圈。发现78圈的效果不如45圈的。
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2015-09-02 21:33
@Vicky1023
谢谢详细的解答,让我对电路更加地理解。我想请问驱动变压器一般是绕多少圈为宜?我绕了两种,一种是双股并行45圈,另一种是双股并行78圈。发现78圈的效果不如45圈的。
客气了。 驱动变压器绕多少匝合适,我也说不清楚, 《变压器设计手册》第三版,里面有驱动变压器设计的详细讲解, 如果不差钱的话可以买现成的用,有很多公司都有驱动变压器的产品,对应驱动电流,隔离电压等参数的。 论坛里面好像有帖子讲这个驱动变压器的东西。
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Vicky1023
LV.2
16
2015-09-03 16:37
@417zhouge
Q1打开时,Q3的小尖峰应该差不多3V了(示波器探头比例没有调对),Q3会开始导通,先进入放大区,如果按你说的电压越高,那小尖峰应该也越高,Q3的损耗就等于I*U。温度上升很快,之后就烧死了。Q3烧死后变成了短路,Q1导通的时候相当于直接把电源短路了。然后Q1也死了。GS之间的电子10K改为1K试试,测试下波形,如果是干扰造成的,1K电阻基本就没有那么高的波形了。
Q3的gs之间的电阻改成1k后,电压就能上去了现在输入加到20V,请问这是什么原因啊?之前看网上的帖子说那是稳态电阻,防止误触发,一般是10k,所以从不改变它。谢谢。
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2015-09-03 16:47
@Vicky1023
Q3的gs之间的电阻改成1k后,电压就能上去了现在输入加到20V,请问这是什么原因啊?之前看网上的帖子说那是稳态电阻,防止误触发,一般是10k,所以从不改变它。谢谢。[图片]
3V电压,10k对应0.3mA电流,反过来推理,如果有0.3mA电流干扰,1k的电阻就只有0.3V,mosfet不导通.一般加上10k是因为MOSFET的GS之间有电容,没有放电的情况下就不确定是否会直通,更容易受干扰。《精通开关电源设计》那个书里面有讲,但是不确定你的电路里面这个小波形是被主电流干扰还是地线上的干扰,只能自己去查了?
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Vicky1023
LV.2
18
2015-09-03 18:10
@417zhouge
3V电压,10k对应0.3mA电流,反过来推理,如果有0.3mA电流干扰,1k的电阻就只有0.3V,mosfet不导通.一般加上10k是因为MOSFET的GS之间有电容,没有放电的情况下就不确定是否会直通,更容易受干扰。《精通开关电源设计》那个书里面有讲,但是不确定你的电路里面这个小波形是被主电流干扰还是地线上的干扰,只能自己去查了?
现在小尖峰的电压幅值维持在2V左右,基本不变。但是Q1如果也换成1k,波形在主电路上电的时候就很差。真是超耐心的解答,我问得都不好意思了~超级感谢
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2015-09-03 21:03
@Vicky1023
现在小尖峰的电压幅值维持在2V左右,基本不变。但是Q1如果也换成1k,波形在主电路上电的时候就很差。真是超耐心的解答,我问得都不好意思了~超级感谢
EE25不知道是什么,2个单独的电感,变压器? 单片机发波的话,MOSFET就一个一个上电,看看波形是想要的波形不。 一个一个都对了,再继续全上电。说实话,电路图我没有看懂,不好意思啊。
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Vicky1023
LV.2
20
2015-09-04 14:56
@417zhouge
EE25不知道是什么,2个单独的电感,变压器?单片机发波的话,MOSFET就一个一个上电,看看波形是想要的波形不。一个一个都对了,再继续全上电。说实话,电路图我没有看懂,不好意思啊。
EE25是电感的位置,把两个电感进行耦合。现在两个mos管的ds尖峰很大。原理通了。大致的波形也是对的。细节处不完美。
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2015-09-04 14:58
@Vicky1023
EE25是电感的位置,把两个电感进行耦合。现在两个mos管的ds尖峰很大。原理通了。大致的波形也是对的。细节处不完美。
MOSFET上的D极串入一个小磁珠消除尖峰,K5A,K5C的材质的。电子市场卖磁芯的地方应该有卖的。
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2015-09-04 21:17
@417zhouge
MOSFET上的D极串入一个小磁珠消除尖峰,K5A,K5C的材质的。电子市场卖磁芯的地方应该有卖的。
MOSFET的DS之间增加RC吸收。10R+100pF试试。
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2015-12-23 20:19
擦。。  我竟然看的是你的帖子。。。。 
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Vicky1023
LV.2
24
2016-01-23 20:45
@强壮的电线杆
擦。。 我竟然看的是你的帖子。。。。 
哈哈哈哈哈
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