如图，这里的二极管到底该用哪一个？不能乱用吧，前面再加一个电阻呢？

如图，看到论坛里面各种原理图中，RCD吸收电路中的D，有的用慢管1n4007，有的用快管FR107，有没有用超快恢复管UF4007的呀？还有的在D前加一个电阻？加电阻的作用是什么？高手们是怎么选择和理解的呀，请教一下。我所理解的这里的D影响：

1.Vds的尖峰电压

2.测EMI时辐射

1N4007+R

FR107

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lizhimeng

LV.1

2015-09-13 11:03

一般来说，反向恢复时间长的D，不仅可以降低Vds-peak，还可以减少原边漏感与MOS-Coss谐振幅值，放电电阻损耗也可以降低，可改善EMI。

慢管自身损耗大些，适用于小功率DCM场合。

whxywan999

LV.4

2015-09-13 11:12

@lizhimeng

一般来说，反向恢复时间长的D，不仅可以降低Vds-peak，还可以减少原边漏感与MOS-Coss谐振幅值，放电电阻损耗也可以降低，可改善EMI。慢管自身损耗大些，适用于小功率DCM场合。

小功率的可用慢管1N4007，大功率的就用FR107之类的快管吗?

xiongjunaa

LV.2

2015-09-13 22:51

@whxywan999

小功率的可用慢管1N4007，大功率的就用FR107之类的快管吗?

恩，小功率的一般用慢管(对EMI有好处，但损耗的功率会变大)。大功率的用快管(发热小)。RCD电路二极管上的那个电阻叫阻尼电阻，可以减小VDS上的尖峰震荡的幅度和持续的时间，这对于PSR芯片尤其重要，因为VDS上尖峰震荡的幅值比较大和持续时间比较长时，会影响PSR芯片的电压检测的，所以PSR芯片的RCD吸收上一般会加上这个阻尼电阻，取值一般51-300R之间。