图1
改进型H桥驱动，Ud>100V,这种母线电压较高的电路，我首先想到了用ir2110，手册上写的是用来驱动一个桥壁，其原理即利用ir2110Vs端作为上mos管的参考零点悬浮电位，上管Hin=1时，通过电容C放电，使vg>Vs,上管导通，Lin=1时，下管导通，此时电容C通过电源，下管充电，然后循环。因为受电容充放电时间的影响，自举电路的开关频率不会太高，查阅相关资料一般最高30Khz。
现在我想将ir2110 用来驱动改进型半桥，图1所示，即T1 用自举驱动，T2用正常驱动，saber仿真可以，
然后我就按照saber仿真的搭建了实际电路，结果今天测试，高压侧mos管，不能驱动，分析了一下原因，但是自己不太确定，所以想说出来，让各位看看对不对，
改进型半桥，ir2110无法形成对电容的充电回路，故因为在Mosfet关断期间，电路通过两个二极管形成电流回路，但是这个回路无法满足电容C充电的回路下图黑线部分，所以我理解的是 ir2110不能驱动改进型半桥。
那么问题来了，我看了一片博士论文，还有好几篇硕士论文，都提到了用TLP250做自举电路，来驱动，但是我看了TLP250的内部结构，光耦加推挽电路，分析了一下开关驱动过程，感觉和ir2110是一样的，同样避不开充电回路问题，
总结一下：1 我实际搭的电路有问题，或者设计的自举电容太小了（10uf），其实这种方法是可行的（明天试试）
2 就是对充电回路的理解错了，当mos管关断时，二极管续流，此时可以形成对C的充电回路
小弟基础知识不太扎实，请各位看一下吧，其中可能有很多幼稚的问题，还请见谅，先谢过了
