我也是这么处理的,AC-DC芯片内置MOS SOP7封装的,肖特基用低VF值的肖特基,全电压 效率80%以上没问题
我也是被这个温度问题困扰很久了。
肖特基位置焊盘周围裸铜上锡,加大散热面积,我这边SOP7内置MOS PSR架构 全电压综合效率82, 试过多种方法再提高效率很困难了
楼主你的是在多少环境温度测试?40度,还是常温?
layout也是问题
太浪费了,哥们,15A TO277的足够了
这个2.4A 一定要用20A45V 252封装的,要不你温度很高。
15A50V 原则上是可以 主要是277的散热不好处理。如果你的温度能处理好是OK的。
请看附件
P20L45.pdf
FT332设计指导书.pdf
FT332 内置MOS管做5V 2.1A 效率80% 纹波小,价格在 0.75左右
内置三极管做5V 2.1A 效率 78% SOP-8的价格在 0.6左右
跟你的设计有关系,输出不是看2.4A,而是看你的有效电流设计多大,VF值是多少,如果这些都设计较低,那就解决散热面积
FT0328 用一个1045,1045温度在100-110度之间,全电压