请教个EMI 问题，解EMI高手请移步进来看看！

如题：现有5V12A 6USB输出案子，在公司机器上预扫情况如附件图，传导还好，辐射超了！在此寻求各方整改建议，至少在自己公司先扫过再去实验室烧钱！！附件效果已作出如下整改: 1：高压MOS D极和吸收二极管套磁珠， 2：使用2个Y电容（初级大电容正负极到次级地）。 3：高压MOS G.D间并了个10PF/1KV瓷片电容，这个效果最明显，但是付出了0.8%的效率。请各位大神不吝赐教！

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wj_12691495

LV.8

2015-12-02 07:58

有没有从变压器着手，

417zhouge

2015-12-02 08:36

不改变压器的话。

30MHz位置，MOSFET换个品牌试试，10pF电容与驱动电阻加大，整改EMI对效率是有影响的。

60MHz位置改RCD参数。

100M位置二极管RC吸收与串磁珠。（大的）

guduyuanyuai

LV.3

2015-12-02 09:04

@417zhouge

不改变压器的话。30MHz位置，MOSFET换个品牌试试，10pF电容与驱动电阻加大，整改EMI对效率是有影响的。60MHz位置改RCD参数。100M位置二极管RC吸收与串磁珠。（大的）

谢谢你的建议,MOS品牌换了几家了，还是一样的效果！现在只能试着跳跳吸收参数了。

对于驱动电阻和吸收的参数的确定，怎么样择中选着，如何冲波形上判断，经验少，还望不吝赐教！

417zhouge

2015-12-02 09:22

@guduyuanyuai

谢谢你的建议,MOS品牌换了几家了，还是一样的效果！现在只能试着跳跳吸收参数了。对于驱动电阻和吸收的参数的确定，怎么样择中选着，如何冲波形上判断，经验少，还望不吝赐教！

现在你用测试传导的分析仪看不太准，因为只能看到输入线上发出去的，从PCB出去的辐射看不到。

我们的做法是整改20-30M为往下的趋势，不能往上翘。现在这个图估计不理想。MOSFET驱动可以做到33+（33并联4148）。

整改里面变压器是大辐射源，有条件的话，自己做几种变压器当场测试，希望是最大的。变压器绕法可以参考论坛里面的精华贴。

guduyuanyuai

LV.3

2015-12-02 09:41

@417zhouge

现在你用测试传导的分析仪看不太准，因为只能看到输入线上发出去的，从PCB出去的辐射看不到。我们的做法是整改20-30M为往下的趋势，不能往上翘。现在这个图估计不理想。MOSFET驱动可以做到33+（33并联4148）。整改里面变压器是大辐射源，有条件的话，自己做几种变压器当场测试，希望是最大的。变压器绕法可以参考论坛里面的精华贴。

留个QQ，我把资料给你看看，看有哪些不合理的！