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求教线包温度高的问题,

为什么反激式电源在264V输入时线包温升最高,当264V输入时Irms最小,那线包温升应该最低啊,当100V输入时Ton时间大,MOS导通损耗较大,所以MOS温度高好理解,那100V输入时明显Irms最大,为什么线包温度低呢?求解
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2015-12-22 11:10
你应该确认一下是线包温度高还是磁芯温度高.
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ershao
LV.4
3
2015-12-22 15:46
三层绝缘线选细了?
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2015-12-22 18:57

是不是变压器旁边就是MOSFET的散热器和输出二极管的散热器啊,效率应该比低压的时候低吧。

想办法把效率调整下。最高电压输入和最低电压输入的时候效率做到差不多。

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2015-12-23 15:25
@爱俊俊真是太好了
你应该确认一下是线包温度高还是磁芯温度高.
线包探头比磁芯探头温度高8℃左右,在264V输入时线包124℃,磁芯116℃
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2015-12-23 15:26
@ershao
三层绝缘线选细了?
线径是足够的,我的意思是,为什么高压线包温度比低压线包温度高,求解
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2015-12-23 15:29
@417zhouge
是不是变压器旁边就是MOSFET的散热器和输出二极管的散热器啊,效率应该比低压的时候低吧。想办法把效率调整下。最高电压输入和最低电压输入的时候效率做到差不多。
效率确实是一个问题,但是不至于影响这么大吧,低压时线包会比高压时低10℃左右,至于MOS和次级整流管温升影响变压器应该不会,它们的距离不是很靠近,且温升也没有变压器高
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2015-12-23 18:08
@huangchaolong11
效率确实是一个问题,但是不至于影响这么大吧,低压时线包会比高压时低10℃左右,至于MOS和次级整流管温升影响变压器应该不会,它们的距离不是很靠近,且温升也没有变压器高

264的时候124℃,这个情况要不就把变压器的热导出去,要不就要采用多股细线来做初级和次级。

高压的时候,占空比小,峰值电流大,对应漆包线的肌肤深度不同,不知道是不是这个原因。

还有一个是磁通的问题,高压应该在DCM模式的,看看低压的时候是不是在CCM模式,磁通的摆幅也会造成磁芯损耗加大。

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2015-12-23 21:34
@417zhouge
264的时候124℃,这个情况要不就把变压器的热导出去,要不就要采用多股细线来做初级和次级。高压的时候,占空比小,峰值电流大,对应漆包线的肌肤深度不同,不知道是不是这个原因。还有一个是磁通的问题,高压应该在DCM模式的,看看低压的时候是不是在CCM模式,磁通的摆幅也会造成磁芯损耗加大。
嗯,80℃环境温度,线包124℃还是能接受的,只是不知道为什么在高压线包会高一点,高压时,Ton小,Ipk值不变吧?高低压Ipk都是一样才对,Irms才是低压时大,高压时小吧?  应该不会是CCM,如果进入CCM那工作的不正常了,只有可能在低压100V,设计匝比太大,Ton大于0.5,而芯片限制占空比为0.5,这时候才有可能进入CCM,其他正常工作都是BCM-DCM。下面是原理图,看是否可以参考一下 

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2015-12-24 08:40
@huangchaolong11
嗯,80℃环境温度,线包124℃还是能接受的,只是不知道为什么在高压线包会高一点,高压时,Ton小,Ipk值不变吧?高低压Ipk都是一样才对,Irms才是低压时大,高压时小吧? 应该不会是CCM,如果进入CCM那工作的不正常了,只有可能在低压100V,设计匝比太大,Ton大于0.5,而芯片限制占空比为0.5,这时候才有可能进入CCM,其他正常工作都是BCM-DCM。下面是原理图,看是否可以参考一下 [图片]

不太会解释那些名词一类的东西,Ipk是一样的,你现在的情况应该都是在DCM吧。剩下的差异就在磁通变化速度的差异了。

可以看下MOSFET的电流波形。高压时与低压时是不是有寄生振荡影响较大。

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