在设计TOPswitch等PWM控制方式的单片开关电源时,经常遇到空载或者轻载时电压满足要求,但是加载后电压下降严重的问题.我认为是电源功率低,带载能力差,负载调整率太大的问题.
请问各位有经验的大侠如何降低其负载调整率?大家可以就这一问题讨论一下如何从电路结构,元件(高频变压器等)参数等方面改善这一问题!
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如何提高开关电源的带载能力!
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@phpt
带载能力低应该是变压器设计不合理,比如初级电感量太大,在充磁周期内储能不足,又或匝比太大,次极退磁不良,导致变压器趋近饱和,还有可能是初级电感太小,导致IC内限流保护动作引起功率下降
要提高带载能力,需要更多的试验验证,如果峰值电流与占空比已定那么CCM模式要获得比DCM模式的功率大,但这也不是绝对的,因为在你设计CCM模式时你可能通时减小气隙来增加电感量,这样会引起变压器饱和,当然不能输出更大功率啦,通过增加匝数方法这方法是可行但要选择适当,当匝数过多会导致线损过大,还有一个问题工作于DCM模式时要考虑MOS管的驱动与损耗在MOS管的选用与驱动是很重要的,当然还要考虑整流管的损耗(工作于CCM模式时要求更快的反向恢复时间)这些问题在你多次试验后会找出一个更佳的工作点.
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@phpt
对于RCC这种理解是不对的,在RCC反激模式下,能量是通过磁芯存储转到次级的,因此要提高次级带载能力,有以下途径:1.减小初级电感量,增加初级电流,以便在允许的脉宽内储存更多的能量 如减少匝数,增大磁隙等2.在允许的占比下增加脉冲频率,以便单位时间内传递更多的脉冲能量3.增加初级电压以上方式均只与磁芯和初级有关,次级只和输出电压以及退磁有关
因为IP*LP=VS*TON
又LP=N*N*AL
故N*N*IP*AL=VS*TON
所以我认为通过增加匝数N可以提高TON,同样也提高了输出电压,增大带载能力.
大侠门,不知我推理的对不对?!
又LP=N*N*AL
故N*N*IP*AL=VS*TON
所以我认为通过增加匝数N可以提高TON,同样也提高了输出电压,增大带载能力.
大侠门,不知我推理的对不对?!
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