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如何提高开关电源的带载能力!

在设计TOPswitch等PWM控制方式的单片开关电源时,经常遇到空载或者轻载时电压满足要求,但是加载后电压下降严重的问题.我认为是电源功率低,带载能力差,负载调整率太大的问题.
请问各位有经验的大侠如何降低其负载调整率?大家可以就这一问题讨论一下如何从电路结构,元件(高频变压器等)参数等方面改善这一问题!
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2007-03-31 22:21
期待中,很实际的问题!
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liaohaish
LV.1
3
2007-04-01 00:52
@dading1009
期待中,很实际的问题!
电感的起始端接错了也出现这种问题,电感的设计不当也会.
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phpt
LV.4
4
2007-04-01 08:25
带载能力低应该是变压器设计不合理,比如初级电感量太大,在充磁周期内储能不足,又或匝比太大,次极退磁不良,导致变压器趋近饱和,还有可能是初级电感太小,导致IC内限流保护动作引起功率下降
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abing
LV.8
5
2007-04-01 10:42
@phpt
带载能力低应该是变压器设计不合理,比如初级电感量太大,在充磁周期内储能不足,又或匝比太大,次极退磁不良,导致变压器趋近饱和,还有可能是初级电感太小,导致IC内限流保护动作引起功率下降
要提高带载能力,需要更多的试验验证,如果峰值电流与占空比已定那么CCM模式要获得比DCM模式的功率大,但这也不是绝对的,因为在你设计CCM模式时你可能通时减小气隙来增加电感量,这样会引起变压器饱和,当然不能输出更大功率啦,通过增加匝数方法这方法是可行但要选择适当,当匝数过多会导致线损过大,还有一个问题工作于DCM模式时要考虑MOS管的驱动与损耗在MOS管的选用与驱动是很重要的,当然还要考虑整流管的损耗(工作于CCM模式时要求更快的反向恢复时间)这些问题在你多次试验后会找出一个更佳的工作点.
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2007-04-01 10:57
@phpt
带载能力低应该是变压器设计不合理,比如初级电感量太大,在充磁周期内储能不足,又或匝比太大,次极退磁不良,导致变压器趋近饱和,还有可能是初级电感太小,导致IC内限流保护动作引起功率下降
可以这样理解不:带载能力低时,在保证不达到磁饱和以及保护电流的前提下,我适当的增加初级线圈匝数,增大磁芯的窗口面积,磁路加入气隙的方法就可以提高电源的带载能力?!
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phpt
LV.4
7
2007-04-03 12:11
@dading1009
可以这样理解不:带载能力低时,在保证不达到磁饱和以及保护电流的前提下,我适当的增加初级线圈匝数,增大磁芯的窗口面积,磁路加入气隙的方法就可以提高电源的带载能力?!
对于RCC这种理解是不对的,在RCC反激模式下,能量是通过磁芯存储转到次级的,因此要提高次级带载能力,有以下途径:
1.减小初级电感量,增加初级电流,以便在允许的脉宽内储存更多的能量
  如减少匝数,增大磁隙等
2.在允许的占比下增加脉冲频率,以便单位时间内传递更多的脉冲能量
3.增加初级电压

以上方式均只与磁芯和初级有关,次级只和输出电压以及退磁有关
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2007-04-03 17:35
@phpt
对于RCC这种理解是不对的,在RCC反激模式下,能量是通过磁芯存储转到次级的,因此要提高次级带载能力,有以下途径:1.减小初级电感量,增加初级电流,以便在允许的脉宽内储存更多的能量  如减少匝数,增大磁隙等2.在允许的占比下增加脉冲频率,以便单位时间内传递更多的脉冲能量3.增加初级电压以上方式均只与磁芯和初级有关,次级只和输出电压以及退磁有关
因为IP*LP=VS*TON
又LP=N*N*AL
故N*N*IP*AL=VS*TON
所以我认为通过增加匝数N可以提高TON,同样也提高了输出电压,增大带载能力.
大侠门,不知我推理的对不对?!
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abing
LV.8
9
2007-04-03 19:11
@dading1009
因为IP*LP=VS*TON又LP=N*N*AL故N*N*IP*AL=VS*TON所以我认为通过增加匝数N可以提高TON,同样也提高了输出电压,增大带载能力.大侠门,不知我推理的对不对?!
完全正确,但会增加反谢电压
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phpt
LV.4
10
2007-04-04 03:17
@dading1009
因为IP*LP=VS*TON又LP=N*N*AL故N*N*IP*AL=VS*TON所以我认为通过增加匝数N可以提高TON,同样也提高了输出电压,增大带载能力.大侠门,不知我推理的对不对?!
只能少量增加,太多会导致反压过高,小心你的功率管,再有就是有可能使频率降低太多产生啸叫
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