C 独特的功率管驱动特性与高耐压偏置技术SW2604内部集成功率管采用斜坡电流驱动，驱动电流随输出功率增加而增加，在FB=0时，OB电流约为40mA,在FB=6V时，OB电流约为120mA,小输出时的驱动功耗得到显著降低。芯片内部集成了独特的偏置技术，在功率管关断时，OE输出到约1.5V，反向偏置发射结，加速Ic电流的下降速度，扩展了有效的安全工作区，开关管承受反向的CB电压，使开关管达到700V的电压承受能力。D 过压与欠压保护功能SW2604芯片具有带迟滞的欠电压保护功能。在VCC电压达到8.8V时IC开始启动，这个初始的启动电压由驱动电阻提供，输入的高电压通过驱动电阻注入开关管的基极，放大的Ic电流在IC内部经过限制电路对VCC电容充电，从而形成驱动电压，在IC正常工作时应保持VCC电压在4.8-9V之间（包括满载情况），若VCC电压下降到4.4V时，则振荡器进入关闭状态；VCC进一步降低到3.8V，IC即开始重新启动。芯片内部VCC具有一个上限电压比较器控制，若VCC试图大于9.6V，则比较器动作，FB将被下拉，锁定VCC至9.6V，达到过电压的限制功能。利用此功能可以方便地实现前端的电压反馈功能，也可避免输出开环时的输出电压大幅度升高现象，保证负载安全。E 最大开关电流限制功能SW2604具有逐周期电流限制功能。每个开关周期均对开关电流进行检测，达到FB设定的防上限电流时即进入关周期，电流的检测具有实时前沿消隐功能，屏蔽开关尖峰，避免开关电流的错误检测。合理的温度检测消除了温度的影响，相对常规的MOSFET开关芯片，在一个较宽的范围内，开关电流都可以非常精准，这样就允许设计者在设计方案时不必留有太大余量即可满足较大工作范围，从而提高电路的使用安全性。SW2604的最大开关电流限值为1000mA，可以很容易地实现大于12W的输出功率，且满足宽温度范围。
设计注意事项
SW2604是一个典型集成功率开关的高性能电源IC，外围电路简单，如图3所示。因为功率开关管集成在芯片内部，开关管的开关损耗产生的热量会使芯片发热，因此在使用时需要一定的散热措施，以避免过高的温度导致IC热保护。一个简单的办法就是在PCB布线时，在IC的PIN7-8脚铺设一定面积的PCB铜箔，在铜箔上面镀锡增加散热能力。在PCB布线时，应将Pin6与Pin7之间保留1mm以上的安全距离，避免产生放电现象。
我一个12V电源，需要改成5V输出设计作品是sw2604的典型应用电路上在改R7R8的分压比，可以改变输出电压，一般是R7B变小，R8变大。但是你改了后级输出，同时也改变了前级集成块的供电电压，但是如果集成块供电电压太低可能导致电源不工作。
