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反激方案中,为什么高低压的过流点会不一样?

Sense电阻R一定,Cs脚钳位电压U一定,那过流点I=U/R也确定了啊。

然后问题来了,为什么输入高低压的过流点会不一样?

比如90VAC时,过流点是3A;264VAC时,过流点是5A.

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Curry_de
LV.2
2
2016-04-14 09:27
初级MOS的过流点
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w11132008
LV.7
3
2016-04-14 10:13
高低压时流过MOS管的峰值电流不一样  SENSE上的电压就不一样 过流点就不一样了 加个高压补偿就好了
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2016-04-14 11:07

电感量一样

输入电压不一样的,所以MOSFET的ID斜率是不一样的

传送相同能量的时候,高压输入时MOSFET的峰值电流小

不容易顶到OCP点

所以高低压的OCP点会有差异

可外加补偿或选择有内置补偿的IC。

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2016-04-14 13:11
@zz052025
电感量一样输入电压不一样的,所以MOSFET的ID斜率是不一样的传送相同能量的时候,高压输入时MOSFET的峰值电流小不容易顶到OCP点所以高低压的OCP点会有差异可外加补偿或选择有内置补偿的IC。
还有可能是,低压的时候电流在连续,高压的时候电流在断续。
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ershao
LV.4
6
2016-04-14 17:14

感觉你把输出电流与初级的Ipk混为一谈了。

自己没理解!

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Curry_de
LV.2
7
2016-04-15 09:15
@ershao
感觉你把输出电流与初级的Ipk混为一谈了。自己没理解!

嗯,6楼一针见血,确实是我搞混了。

多谢大家不吝赐教,此贴终结。

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04-17 00:50
@417zhouge
还有可能是,低压的时候电流在连续,高压的时候电流在断续。

低压工作在连续模式,应该电流峰值更低吧?

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