InnoSwitch芯片SR端上的mos管耐压怎么取值？

InnoSwitch芯片次级SR端上的反射电压为输出二极管/SR导通期间次级绕组电压以变压器变比的比例反射到初级绕组上而形成的电压，除了这个反射电压还有什么电压还要考虑的，应该怎么选多大的mos管耐压值合适？

全部回复(7)

只看楼主

正序查看

倒序查看

LV.12

2016-05-04 08:54

参考PI的参考设计，根据反射电压来选择MOS的耐压。

LV.10

2016-05-05 20:35

即使不能选择MOS的耐压，反射电压也可以通过改变变压器的设计来适当休整。

LV.10

2016-05-16 16:55

通过反射电压计算出MOS管的耐压值，从而来选择MOS的耐压。

LV.10

2016-05-17 09:29

@spowergg

通过反射电压计算出MOS管的耐压值，从而来选择MOS的耐压。

自动恢复关断功能可以在温度超过限值时禁止MOSFET开关。

LV.10

2016-05-17 09:59

要看你的电源设计参数，根据反射电压计算出MOS管的耐压。

LV.10

2016-06-01 14:01

@谢厚林

参考PI的参考设计，根据反射电压来选择MOS的耐压。

除了放射电压，需要考虑尖峰电压吗？有公式吗？

LV.9

2016-06-02 22:32

@spowergg

通过反射电压计算出MOS管的耐压值，从而来选择MOS的耐压。

没有外部反馈电流流入控制引脚，高压开关电流源关断