双管正激的IGBT VCE波形尖峰异常的高

这个拓扑结构本身会限制VCE的电压嵌位至Vin？

请问 IGBT上的漏感尖峰是不是可以通过嵌位二极管嵌位至Vin。也就是说变压器漏感是不是不用考虑，如果CE尖峰依旧很大是不是跟布局有一定关系。。。

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flyfly8

LV.4

2016-05-08 17:55

看波形,是续流二极管的特性引起的,是快恢复二极管吗?

listenslow

LV.5

2016-05-08 23:00

@flyfly8

看波形,是续流二极管的特性引起的,是快恢复二极管吗?

是的，超快恢复的，50ns,我认为已经足够了，，，我又用了碳化硅的二极管，，，还是一样的结果，我觉得不是快恢复的问题。。

flyfly8

LV.4

2016-05-09 11:30

@listenslow

是的，超快恢复的，50ns,我认为已经足够了，，，我又用了碳化硅的二极管，，，还是一样的结果，我觉得不是快恢复的问题。。

看看逆变回路和电解电容之间的路径长，导致杂散电感增大引起的震荡；

电源网-fqd

2016-05-09 11:33

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

电源网-璐璐

LV.10

2016-05-09 13:12

@flyfly8

看波形,是续流二极管的特性引起的,是快恢复二极管吗?

沙发被你抢到~先赏

扫一下二维码，工作人员邀你进电源网官方微信群（技术我们是闲侃的，闲侃我们是认真的）

listenslow

LV.5

2016-05-09 17:55

@flyfly8

看看逆变回路和电解电容之间的路径长，导致杂散电感增大引起的震荡；

如果是由于布线引起的杂散电感尖峰不能通过磁恢复二极管钳位到vin嘛？

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