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双管正激的IGBT VCE波形尖峰异常的高

这个拓扑结构本身会限制VCE的电压嵌位至Vin?

请问 IGBT上的漏感尖峰是不是可以通过嵌位二极管嵌位至Vin。也就是说变压器漏感是不是不用考虑 ,如果CE尖峰依旧很大是不是跟布局有一定关系。。。

请问 IGBT上的漏感尖峰是不是可以通过嵌位二极管嵌位至Vin。也就是说变压器漏感是不是不用考虑 ,如果CE尖峰依旧很大是不是跟布局有一定关系。。。

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flyfly8
LV.4
2
2016-05-08 17:55

看波形,是续流二极管的特性引起的,是快恢复二极管吗?

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2016-05-08 23:00
@flyfly8
看波形,是续流二极管的特性引起的,是快恢复二极管吗?
是的,超快恢复的,50ns,我认为已经足够了,,,我又用了碳化硅的二极管,,,还是一样的结果,我觉得不是快恢复的问题。。
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flyfly8
LV.4
4
2016-05-09 11:30
@listenslow
是的,超快恢复的,50ns,我认为已经足够了,,,我又用了碳化硅的二极管,,,还是一样的结果,我觉得不是快恢复的问题。。
看看逆变回路和电解电容之间的路径长,导致杂散电感增大引起的震荡;
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2016-05-09 11:33
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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2016-05-09 13:12
@flyfly8
看波形,是续流二极管的特性引起的,是快恢复二极管吗?

沙发被你抢到~先赏



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2016-05-09 17:55
@flyfly8
看看逆变回路和电解电容之间的路径长,导致杂散电感增大引起的震荡;
如果是由于布线引起的杂散电感尖峰不能通过磁恢复二极管钳位到vin嘛?
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