米勒效应（Miller Effect）是指在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，由于栅极和漏极之间的电容（Cgd）在开关过程中引起的一种现象。当MOSFET从关闭状态切换到打开状态时，栅极和漏极之间的电压会因为Cgd的存在而产生一个额外的电压降，这个电压降被称为米勒平台（Miller Plateau）。这个平台会导致MOSFET的开关速度变慢，增加开关损耗，尤其是在高速开关应用中，米勒效应的影响更为显著。
在MOSFET的栅极和漏极之间存在一个由氧化物层构成的电容Cgd。当栅极电压变化时，这个电容会存储和释放电荷。在MOSFET开启时，栅极电压需要达到阈值电压以上，才能使通道形成并允许电流流动。但由于Cgd的存在，漏极电压的变化会通过Cgd对栅极电压产生反馈，导致栅极电压不能立即达到所需的阈值电压，从而产生延迟。在MOSFET开启过程中，由于Cgd的反馈作用，栅极电压会暂时停留在一个较低的水平，形成一个平台，这就是米勒平台。在这个平台上，MOSFET的导通电阻较高，导致较大的功耗。米勒效应的影响主要是以下几个方面：
1.由于米勒平台的存在，MOSFET的开关时间会增加，影响电路的响应速度；
2.在米勒平台上，MOSFET的导通电阻较高，导致较大的功耗，尤其是在高频开关应用中；
3.米勒效应还可能引起电路的振荡，影响电路的稳定性。
为了减轻或消除米勒效应的影响，可以采取一些措施，如使用零电压开关技术、优化PCB布线、选择合适的栅极驱动电阻等。
1.在MOS管的栅极（G）和源极（S）之间加入足够大的电容可以消除米勒效应，但这样做会延长开关时间。一般推荐值是加0.1Ciess的电容；
2.在PCB布线时，尽量缩短驱动信号的布线长度，以减少寄生电感导致的震荡和电压过充，并选择合适的栅极驱动电阻；
3.减小栅极电阻Rg可以减少米勒效应的影响，因为Rg越小，Cgs充电越快，MOS管开启就越快；
4.如果能在Vds等于零时将MOSFET导通，即利用ZVS（零电压开关）技术，就不会产生米勒效应
