残荷听雨：
针对你那个措施1，就算增加Cgs是不可能消除米勒效应的，因为开关导通分四个阶段（你可以查资料，这里不多说）第一阶段是VGS电压从零上升到VTH，此阶段就是一个RC充电过程；第二阶段是VGS电压从VTH上升到VTH+IO/g，此阶段就是电流开始增加，和MOS的跨导相关，VDS电压不变；第三阶段是VGS电压为VTH+IO/g恒定不变，VGD的电压由（VTH+IO/g-VIN）变成VTH+IO/g，这个阶段才是米勒效应阶段，其米勒电容（Cgd）的一个放充电过程，米勒电容的充放电只有2个路径，一个是Cgd——地——Cgs——Cgd，另外一个路径就是Cgd——地——Rdrve——Cgd，但Vgs电压不变，因此，只能通过Cgd——地——Rdrve——Cgd路径放充电，而米勒效应完全由Cgd与Rdrve决定，和Cgs电容没有关系，增加它是不能消除米勒效应的。针对措施3，前半句没毛病，后半句不准确，可以参考上面解释。