IGBT老烧，求教原因，附波形

上面的测试波形我用的是英飞凌一款55A 600V的TO252封装的分立IGBT测试的，

实际上用的是一款英飞凌10A的IGBT模块，这俩个月测试分立IGBT怎么都不会烧，IGBT模块一上电就烧.....或者工作个半小时就烧。。（我保证没有引脚连线错误或者短路之类的错误。。。）我真的是无语了。。。

你看一下你管子最大能够承受的didt是多大。这段时间内你的下管应该有导通，

请问我之前一直以为是密勒电容引起的寄生导通，可是现在我把这个上管导通造成的误触发电压降到了3V以下，要低于IGBT的Vge(th)=5.8V，为什么下管还是导通了呢，虽然我觉得从波形上看确实下管有导通的现象。

另外我这个IGBT的说明书上并没有标注didt的相关参数，只有两个电流参数 一个是最大直流电流是10A，另一个是Repetitive peak collector current tp=1ms，ic=20A，请问这种没有给出Pulsed Collector Current参数的，怎么估算...di/dt

我用的那款分立的IGBT给出了一个参数 Pulsed Collector Current 1 @ T C = 25°C 是110A

这是不是说明这个IGBT的耐瞬间电流大，所以我用这个分立的IGBT做测试一直没事，但那个IGBT模块没有给出这个参数，峰值电流（1ms）为20A，可以估计出这个IGBT的耐受性要差得多，所以容易烧毁？

会不会是死区太小了？我们做的两款电源，死区分别为3微秒及10微秒。还有脉宽是不是不合适？

2us的死区，从波形上看，一管导通的时候，另一管栅极已经是0V了，应该可以把

而且我试过了，增大死区并不会改变这个脉冲电流

将栅极电容从2.2nF增加到10nF 电流从30A下降到10A 误触发电平从2.6V下降到1.3V

请问论坛大神你们IGBT都是正负压驱动吗- -....我在英飞凌的官网上看小功率是可以单电源驱动IGBT的，于是我用了IR2233，然而我这俩个月根本成功不了。。。单电源驱动IGBT各种雪崩。。

我用的都是正负电压驱动

英飞凌的文档表示100A以下出于成本要求，都可以使用单电源驱动IGBT。。

哎╮(╯▽╰)╭ 毕竟我还是太菜，单电源驱动IGBT我真是搞不定

不过我看英飞凌的一些官方demo，单电源驱动IGBT的只有一款还不到1kw的产品，

其他超过1kw的产品都是正负电源，感觉被英飞凌骗了

我把Ron从100Ω增大到200欧姆，栅极误触发电平基本不变，但是电流从10A下降到6A

论坛大神们有谁成功搞过单电源的IGBT驱动的....

在Ron=200Ω的条件下，使用有源钳位技术，误触发电平降低到1V，瞬态电流降低到4A，好吧，我尽力了，单电源IGBT驱动这个问题我真的是避免不了......

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我使用100A-300A的IGBT模块时一般将Rg设置为几欧姆到十几欧姆。

使用单电源时最好加有源钳位。

IGBT大于150A时最好使用双电源，不考虑成本时可以双电源+有源钳位，有些专用驱动芯片集成了有源钳位。

楼主，把你的驱动电路原理图贴出来吧，用一个稳压管和电容很容易产生负压的

这方法可以，效果比较好的，用一个稳压管来产生负压，节约成本，楼主可以考虑。

我更倾向于你的桥臂出现了直通的现象，才会导致管子损坏。

可是我用的IR2233，自举的驱动方式对于正负电压不太友好，现在只能用有源钳位往下走了，英飞凌和仙童我都看到了有源钳位的芯片，但是IR2233的电路实在太简单了，实现成本也低。

不知道你试过把IR这种自举方式改造成双电源没有，一方面假设15V供电的话，输出5.1V的负电压，那么你正电压就只有9.9V，并且高端的负电压我试了很多论文上的方式，没有成功过，高端的负电压不知道是因为电阻电容不合理还是什么原因，反正没有成功输出过

降低dv/dt，可以改善米勒影响。要想彻底消除米勒影响，只能加合适的负电压。

我最近也在纠结这个问题，我是用k50t60的管，频率27k，几乎空载，100w的时候都会发热，还有点严重，全桥驱动，死区设置3us，实际测试只有2us，从波形看没问题，输出带有lc电路，在关断的时候还有续流，直流母线输入电压是整流后的310v，我做了一下实验，发出的热量大概是40w，而我的输出才近100w，会不会是开关频率太高，k50t60的管最大可以多大频率

1、加大死区时间；

2、10A与55A的驱动电流是不一样的；

3、驱动电流在资料上有很明显的差别的；

4、实践出真知，媳妇会熬成婆的。