MOSFET当继电器用出现栅极对漏极低阻抗烧毁

司做了一款低压数控电源，基本指标如下：

输入12VDC

输出四路：-5V~5V，电流-40A~40A。

        由于端口有漏电流要求，采用直流继电器成本太高，就采用MOSFET代替继电器。MOSFET型号为IRF1324S-7PPbF，这款MOSFET在公司当继电器用有三年左右的经验，一直没有出任何过问题。但在这个电源上使用时，部分单板的三通道出现IRF1324S-7PPbF严重发热烧毁的现象。诡异的问题就出在这里，几千块板 老化时没有一个出现烧IRF1324S-7PPbF，客户使用三个月后陆续出现了近100个单板出现IRF1324S-7PPb严重发热烧毁的现象。

对出问题的单板进行检查发现:

①   出现问题的单板全部烧的都是三通道（每个单板四路输出，出现问题的都是第三路）。

②   所有烧IRF1324S-7PPbF的单板最后都是工作在电流输出负40A电流时。

②MOSFET发热温度估测在200℃左右，且为持续发热。单板上MOSFET下面的铜皮被烧的翘起，MOSFET本体发黑裂开，但没有炸裂的迹象。

③检查整个单板发现损坏的器件只有一个，就是这个当继电器用的IRF1324S-7PPbF，包括它的驱动电路在内，没有一个其他器件损坏，更换IRF1324S-7PPbF，单板可以正常工作，一两个月都没有问题。

④检查损坏的IRF1324S-7PPbF：有一半以上是栅极对漏极出现低阻抗（几十到几百欧姆），栅极对源极高阻，漏极对源极高阻。其中找到一两个刚发热就发现的IRF1324S-7PPbF，检查结果为：栅极对漏极出现低阻抗（几十到几百欧姆），栅极对源极高阻，漏极对源极短路。

实际使用电路如下：

电路的拓扑是一个H桥，MOSFET放在输出端口，充当继电器的功能。

注：IRF1324S-7PPbF是当继电器在用，电源开始工作后，他的驱动一直拉高，所以驱动电阻为1K的情况下也能正常导通。实测IRF1324S-7PPbF驱动电压在6V~9V之间浮动（源极电压不固定）。

实际检测发现三通道与其他通道相比只有一点差异

实验室故障模拟:

发现只有将IRF1324S-7PPbF的驱动拉低到门限电压附近，让它工作在线性放大区才有可能导致IRF1324S-7PPbF发热升温到200℃以上：电源输出+40A时体二极管都可以提供续流通路，MOSFET的温度会偏高但不会超过70℃；电源输出-40A时，体二极管截止，电流必须从MOSFET通过，工作在线性放大区的IRF1324S-7PPbF会严重发热,实测温度接近200℃，MOSFET下面的焊锡融化。(规格书上IRF1324S-7PPbF最高结温为175℃)。

综合上述问题现象和后续检测可以得出以下结论：

①   电路的原理没有问题（如果电路原理有问题，不会只坏三通道）

②   IRF1324S-7PPbF发热是驱动不足，工作在线性放大区导致的。

③    

推测损坏原理为：

        IRF1324S-7PPbF由于出现某种异常导致栅极对漏极击穿，呈现低阻抗。驱动电压被分压，栅极只有3V左右的电压，IRF1324S-7PPbF工作在线性放大区，电源输出+40A时体二极管续流，MOSFET发热但不会烧毁。电流输出-40A时，体二极管截止电流通过工作在线性去IRF1324S-7PPbF，出现严重发热。

注：

1.（IRF1324S-7PPbF门限电压为2.2~3.9V，实测4.1V以上IRF1324S-7PPbF可以导通，发热正常）

2.焊锡熔点在183℃左右，能将焊锡融化，说明IRF1324S-7PPbF发热的确到了200℃左右，热成像仪测试数据基本可靠。

暂时处理方法：对三通道IRF1324S-7PPbF的源极外加一层铜皮，既可以增强倒流能力，也可以增加散热。（这样处理过后，一个月左右，还是出现4个通道IRF1324S-7PPbF烧毁）

问题：

一直没有弄清楚的问题是IRF1324S-7PPbF为什么会出现栅极对漏极低阻抗？

IRF1324S-7PPbF损坏的原因是什么？