现在像这么大的电源很多都要做到5V3.4A的功率，像这种又做不了IC和MOS集成的，变压器，PSRIC,MOS,和同步整流IC都距离很近，导致温升会较高。这个时候我们会选择提高变压器的效率和减少MOS管的开关损耗来达到降低温度的目标，但是选择MOS的时候就会比较困难了，一般选择了cool MOS，效率是高了很多，但是EMI差了，等到你把EMI调好了之后又会发现效率掉到跟平面MOS是一样的了，所以真的很痛苦。
不知道大家有没有这种纠结？
现在像这么大的电源很多都要做到5V3.4A的功率，像这种又做不了IC和MOS集成的，变压器，PSRIC,MOS,和同步整流IC都距离很近，导致温升会较高。这个时候我们会选择提高变压器的效率和减少MOS管的开关损耗来达到降低温度的目标，但是选择MOS的时候就会比较困难了，一般选择了cool MOS，效率是高了很多，但是EMI差了，等到你把EMI调好了之后又会发现效率掉到跟平面MOS是一样的了，所以真的很痛苦。
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