先介绍一下RCD吸收电路，它是电阻R和电容C串联二极管D的一种电路。并联在MOS上面，当MOS开关断开，蓄积在寄生变压器电感中的能量会通过吸收电阻对吸收电容充电（也会对开关管的寄生电容充电的）。这样由于吸收电阻的作用其阻抗将变大，那么吸收电容也就等效地增加了开关管的并联电容的容量，从而抑制开关断开的电压浪涌。而在开关接通时，吸收电容又通过开关放电，此时，其放电电流将被吸收电阻所限制。
虽然RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。但是他保护了MOS不受漏感尖峰的危害。 如果我们现在使用LNK362实现无箝位RCD吸收电路设计，这样的话变压器电感中漏感怎么办呢？对变压器绕制技术是不是有特殊要求。
