威世FA57SA50LC是第三代国际整流器设计与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低电阻和成本效益。采用SOT - 227封装普遍首选的商业工业应用的功耗水平在约500瓦。
低的SOT - 227热电阻有助于其在整个行业广泛接受。
该物料已经停产，海飞乐目前在封装FA57SA50LC SOT-227模块。 136-3295-7632 朱先生
产品特点完全隔离的封装易于使用和并行低电阻额定动dv/dt完全雪崩额定简单的驱动要求低门电荷装置内部低电感原装现货MOS管FA57SA50LC技术参数通道类型 N最大连续漏极电流 5.7 A最大漏源电压 500 V最大漏源电阻值 0.08 Ω最大栅源电压 ±20 V封装类型 SOT-227安装类型 螺丝引脚数目 4通道模式 增强类别 功率 MOSFET最大功率耗散 625 W宽度 25.7mm典型接通延迟时间 152 ns尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm每片芯片元件数目 1长度 38.3mm高度 12.3mm最低工作温度 -55 °C典型栅极电荷@Vgs 225 nC @ 400 V典型关断延迟时间 108 ns典型输入电容值@Vds 10000 pF @ 25 V最高工作温度 +150 °C 这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。 当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。
