各位大神,谁能给我解释下这个R311、C311、R302的作用和阻值计算以及MOS管的驱动电流的计算
你就不會一次問喔........
之前在一個子板塊有看到MOS_G有併聯電容, 跟你這一樣..無言
首先跟你講的是內建圖騰柱(Driver)的結構, 其內部三極體的飽和電壓(Vset)與推動電流(Iout)成正比, 也就是輸出推動電流越大, 則飽和電壓越高,
且, 當 Ciss=0 I = 無限大, 即使VGS = Vciss =Vth 階段, 電流依然很大, 所以推動端都需要串電阻以防止電流過大, 驅動IC會發燙..
外掛圖騰柱則沒這問題, 飽和電壓就是0.2-0.3V, 所以不串電組也無所謂....
上圖, 承你上一個問題, Ic(Q307) = 0.7A ,導通後藉由D302與R311接通到Mosfet (Q323)由於串接電阻, 因此電流變
當 t=0 Ciss=0 Ic(Q307)max=0.7A R113(min) = (12 - Vset(Q307) - Vf(D302)) / 0.7A =15.7R(min)
所以 R311 最小值, 可以用15.7R 上圖電阻為51R, 則電流為 (12-0.3-0.7) / 51R = 0.2A
Q308為放電用, 當Q307 off 以候 Q308 必需導通, 其藉由R302提供偏壓, 但是Q308只要一導通VGS便往下降, 而Ib(Q308) = VGS - Vbe / R302
且放電過程中, 保證放電過程電流與充電一樣不低於0.2A, 最低點為Mosfet_Vth, 查Mosfet Vth = 4V β = 150 Ib(Q308) = 0.2A / 150 = 1.3mA
而 Ib*β 必須大於IC 因此 Ib 取 1.5mA
R302 = Vth -Vbe(Q308) / 1.5mA = 2.2K
C311 可不接, 主要是會增加 Ciss , 如果要接也應該接一顆10K電阻才對.........
可是为什么我把R302去掉的话,MOS管都导通不了
而且这个Ic(Q307)=0.7A是怎么来的,Q307为什么是工作在饱和区
不好意思新手问题比较多
Mosfet_信號只能靠2.2K放電
這樣放電PNP不會通, 因為51R阻抗低, 無法建立0.7V讓PNP通
加了D302建立了0.7V電壓Q308才會通....
然後0.7A就是你第一帖發問的時候以 Ib * 放大率算出的最大飽和電流, 你忘了阿??????至於位何工作在飽和區, 是因為我門給它很大的Ib
沒進飽和區MOSFET 怎推的動?