• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

内绝缘封装 快恢复二极管 可代替碳化硅二极管 内绝缘IGBT

许多大功率应用都要求电子元件具有电绝缘和优良热性能,且须易于组装。对于这些应用领域而言, 海飞乐(HIGHSEMI)SOT78D封装(内绝缘TO220)、SOT98A封装(内绝缘TO-3P)是最佳的选择。优化的芯片焊接和封装技术使SOT78D、SOT98A能提供较低的PN结到散热片热阻,最终使二极管在大功率应用中以较低温度运作,且表现稳定可靠。主要优势 关键特性•更高的绝缘能力 •在各种电隔离方式中, 具有最低的热阻•能安全连接到接地的散热片表面 (PN结到散热片)•可安装多个二极管于散热片上 •在高电流高功率下更低的运行结温•更易于加工和组装 •R th(j-mb) 比竞争对手同类内绝缘•所需组装设备和技术与TO220AB相同 TO220产品低10%型号 电压(V) 电流(A) VF(v) Trr(ns) 封装外形 电路 / 特性HFD1020P 200 10 1.1 28 TO220 S2 共阴/共阳

HFD1520P 200 15 1.0 25 TO220 S2 共阴/共阳

HFD92-02AD1 200 20(10x2) 1.1 28 TO3P D1

HFD92-02AD 200 30(15x2) 1.0 25 TO3P D1

HFD3030P 300 30 1.1 40 TO220 S2

HFD4030P 300 40 1.1 40 TO220 S2

HFD6030AD 300 60(30x2) 1.1 40 TO3P D1

HFD8030AD 300 80(40x2) 1.1 40 TO3P D1

HFD4040ADU 400 40(20x2) 1.3 35 TO3P D1

HFD8040AD 400 80(40x2) 1.2 45 TO3P D1

HFD8040ADU 400 80(40x2) 1.4 35 TO3P D1

HFD9040A 400 90 1.1 70 TO3P S

1HFD0860P 600 8 2.7 13 SOT78D (内绝缘 TO220) S2 共阴/共阳

HFD1560P 600 15 1.4 35 TO220 S2 共阴/共阳

HFD1560PU 600 15 2.0 28 TO220 S2 共阴/共阳

HFD3060AD 600 30(15x2) 1.4 35 TO3P D1

HFD3060ADU 600 30(15x2) 2.0 28 TO3P D1

HFD6060H 600 60 1.4 45 TO247‐2L S2 共阴/共阳

HFD8120P 1200 8 3.2 25 TO220 S2 共阴/共阳

HFD15120P 1200 15 2.2 45 TO220 S2

HFD30120P 1200 30 2.2 50 TO220 S2

HFD30120H 1200 30 2.2 60 TO247‐2L S2

HFD30120HU 1200 30 3.2 50 TO247‐2L S2

HFD60120AD 1200 60(30x2) 2.5 50 TO3P D1

HFD75120H 1200 75 2.6 75 TO247‐2L S2

HFD75120HU 1200 75 3.2 65 TO247‐2L S2

HFD100120H 1200 100 2.6 75 TO247‐2L S2•

二极管在实际应用中运行温度更低 主要应用•减低热应力,延长使用寿命 • 电动工具 •家电 •照明海飞乐(HIGHSEMI)SOT78D提供了更好的隔离能力,更适用于需要热性能优良的隔离封装应用中。同时,新的SOT78D封装易于加工和组装并与统的TO220封装完全兼容。SOT78D 可以以多种方式被固定到散热片上。因为这种封装背后不是使用塑料绝缘层,所以即使把它铆到散热片上也不用担心会断裂。另外,简易的加工和封装技术常常容易造成过度的震荡力,扭力或夹力,但即使是在这些情况下,SOT78D封装被毁坏的可能性也很小。

完全替换 ST 内绝缘封装 快恢复二极管 STTH8ST06DI 可代替碳化硅二极管

全部回复(1)
正序查看
倒序查看
sofeat
LV.3
2
2017-01-05 16:10
越来越多的采用内绝缘封装IGBT的应用。包括内绝缘MOS,内绝缘二极管。
0
回复