各位大师,
小弟最近正在做一个项目,是一个60W的开关电源,有两路输出42V和24V,分别是1A;在EMI测试时,传导骚扰测试没有问题,但辐射干扰超出了范围,超出频段在50MHz-100MHz之间,最后定位到了是mos管的问题,主要使用了12A 的Cool mos,后来通过加大驱动电阻到100欧姆,效果是明显,但还是在临界位置,而且mos管发热严重,满载2h,温度到达100度,这样又不能接受。请问还有什么办法解决呢??加大输入电容?前面再加一级LC滤波?
各位大师,
小弟最近正在做一个项目,是一个60W的开关电源,有两路输出42V和24V,分别是1A;在EMI测试时,传导骚扰测试没有问题,但辐射干扰超出了范围,超出频段在50MHz-100MHz之间,最后定位到了是mos管的问题,主要使用了12A 的Cool mos,后来通过加大驱动电阻到100欧姆,效果是明显,但还是在临界位置,而且mos管发热严重,满载2h,温度到达100度,这样又不能接受。请问还有什么办法解决呢??加大输入电容?前面再加一级LC滤波?