请教下为什么BUCK拓扑要浮地驱动? 我网上看了下 就是芯片供电的地不要与S级相连,现在也明白不了,那么升压拓扑要浮地驱动吗?
上面的的图 芯片地也没有与S级相连啊中间还有个二极管呢
就是MOSFET的GS驅動電壓要爲高電平的
一般地DC-DC boost升壓拓撲是不用浮地驅動的
因為N-MOSFET要讓他導通, 一定要有一個VGS電壓, 既然是VGS, 那就表示"地"要接在S端, 對"G"產生一個 High 電位, N-Mosfet D-S 剛好可以導通
若你把他接實際 "地" 算到 "S"在算到"G" 那電壓就一定要超過輸入電壓才可以, 因此採用"浮地" 方式
但升壓不同, N-MOSFET的"S" 是接時際地, 所以VGS也是從實際地算起, 因此不需"浮地"..........
哥们来咱俩互动一下 我是之前做维修开关电源这一块的做了3年一直考虑要上研发进行 进行中,最近没什么事就想设计一款反激开关电源,也是我的处女作
输入85-264(网上说通用的)
输出:5V 1A
芯片:3843
开关频率:60HZ
磁芯:EE16 19.20MM2
下面是我从网上学习得来的公式制作成表格如下:
现在就是呢有个问题3843的反馈怎么计算还有3脚的IS检测电阻怎么计算 还有6脚的输出电阻怎么计算