ltc3780的空载功耗如何降低

以LTC3780为核心做了2版boost-buck电路，实现10-32伏输入，24伏输出，在调试中发现，2版的空载电流不一样，原理图一模一样；例如：10伏输入，这2版PCB的空载电流分别为49mA和67mA,这空载功耗除了主控芯片消耗比较多，还有哪些地方功耗大？

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gaon

LV.7

2017-05-25 09:10

消灭零回复

kaoyangod

LV.1

2017-06-03 14:36

@gaon

消灭零回复

唉，冷冷清清

juntion

2017-06-03 15:40

@kaoyangod

唉，冷冷清清

哪會冷清, 熱的勒....

你這蕊片剛看了IQ值在正常操作模式時 Typ=2.7mA, 所以等於整體消耗來自MOSFET回路...

而MOSFET回路消耗為

1). 下橋推動消耗

2). 上橋自舉電容充電消耗與上橋推動消耗

其中, 自舉電容銷耗應該最大, 在來是下橋MOSFET推動消耗, 因為不管是Buck或Boost, 下僑總會有一個週期開到很大, 上橋驅動則是與自舉電容單位

時間內儲存能量有關, 你在不同版本上可能是Layout不同, 紋波高度不同才會導致損耗有差異..

可以這樣改

1). 自舉電容若頻率高, 其實不需用到104那麼大, 可改小

2). 自舉充電二極體通常會串一顆幾 R 電阻, 可串看看

3). 下橋MOSFET可在操作最大週期那一顆的G串一顆幾 R 電阻

4). 不同的MOSFET有不同的Ciss 與Qg, 不介意的話, 換不同廠牌看看.....

kaoyangod

LV.1

2017-10-14 01:58

@juntion

哪會冷清,熱的勒....你這蕊片剛看了IQ值在正常操作模式時Typ=2.7mA,所以等於整體消耗來自MOSFET回路...而MOSFET回路消耗為1).下橋推動消耗2).上橋自舉電容充電消耗與上橋推動消耗其中,自舉電容銷耗應該最大,在來是下橋MOSFET推動消耗,因為不管是Buck或Boost,下僑總會有一個週期開到很大,上橋驅動則是與自舉電容單位時間內儲存能量有關,你在不同版本上可能是Layout不同,紋波高度不同才會導致損耗有差異..可以這樣改1).自舉電容若頻率高,其實不需用到104那麼大,可改小2).自舉充電二極體通常會串一顆幾R電阻,可串看看3).下橋MOSFET可在操作最大週期那一顆的G串一顆幾R電阻4).不同的MOSFET有不同的Ciss與Qg,不介意的話,換不同廠牌看看.....

感谢回复，我可以按照你的思路试一下

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