我是一个小白，因为某些原因，要开始接触充电器的设计。
上图是苹果充电器的电路图，图上用红色框框标起来的部分都是我看不懂的，我不知道它们的作用是什么，以及它们的原理。
希望各位大神能给小弟指点一二，谢谢！！！
有关苹果充电器电路的疑问，请高手进来看一下。
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1). C12+R15與C11+R16是做EMI防治用, 通常在做傳導時, 中間頻段若下重一點是各並一顆104電容
2). 那是RDC Snubber電路, 只是多了一顆R3, R3是為了限制C3充電電流, 讓D1導通緩和, 不會因瞬開而產生Peak
原理是: 當MOSFET_OFF時, 變壓器極性反轉, MOSFET_D端為正, HVCC端為負, D1順向對C3充電, 將Off時尖峰吸 收, 當MOSFET_ON時, D1反向不導通, C3藉由R2放電, 直到清空為止....
3). R7為驅動限流電阻, 通常介於100R以下, 放到330R應該是要把MOSFET導通速度放緩, 這速度與傳導跟幅射有關
R20, D4為加速放電用, 通常R20可以不要, 只用一顆二極體, 但是加了R20是讓放電緩一下, 應該也跟EMI有關
4).這是基本的回授補償, 有些用法只接一顆電容而不接電阻, 接電容主要是做負回授衰減增益用, 但是太過補償容易引 起震盪, 因此加一顆電阻, 此電阻稱為"阻尼電阻", 加了阻尼電阻在某些頻率區段會較平滑............
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@juntion
1).C12+R15與C11+R16是做EMI防治用,通常在做傳導時,中間頻段若下重一點是各並一顆104電容2).那是RDCSnubber電路,只是多了一顆R3,R3是為了限制C3充電電流,讓D1導通緩和,不會因瞬開而產生Peak 原理是:當MOSFET_OFF時,變壓器極性反轉,MOSFET_D端為正,HVCC端為負,D1順向對C3充電,將Off時尖峰吸 收,當MOSFET_ON時,D1反向不導通,C3藉由R2放電,直到清空為止....3).R7為驅動限流電阻,通常介於100R以下,放到330R應該是要把MOSFET導通速度放緩,這速度與傳導跟幅射有關 R20,D4為加速放電用,通常R20可以不要,只用一顆二極體,但是加了R20是讓放電緩一下,應該也跟EMI有關4).這是基本的回授補償,有些用法只接一顆電容而不接電阻,接電容主要是做負回授衰減增益用,但是太過補償容易引 起震盪,因此加一顆電阻,此電阻稱為"阻尼電阻",加了阻尼電阻在某些頻率區段會較平滑............
S8A45S二极管上加一个RC吸收电路更合理些，个人观点不一定正确。
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@juntion
1).C12+R15與C11+R16是做EMI防治用,通常在做傳導時,中間頻段若下重一點是各並一顆104電容2).那是RDCSnubber電路,只是多了一顆R3,R3是為了限制C3充電電流,讓D1導通緩和,不會因瞬開而產生Peak 原理是:當MOSFET_OFF時,變壓器極性反轉,MOSFET_D端為正,HVCC端為負,D1順向對C3充電,將Off時尖峰吸 收,當MOSFET_ON時,D1反向不導通,C3藉由R2放電,直到清空為止....3).R7為驅動限流電阻,通常介於100R以下,放到330R應該是要把MOSFET導通速度放緩,這速度與傳導跟幅射有關 R20,D4為加速放電用,通常R20可以不要,只用一顆二極體,但是加了R20是讓放電緩一下,應該也跟EMI有關4).這是基本的回授補償,有些用法只接一顆電容而不接電阻,接電容主要是做負回授衰減增益用,但是太過補償容易引 起震盪,因此加一顆電阻,此電阻稱為"阻尼電阻",加了阻尼電阻在某些頻率區段會較平滑............
谢谢版主的详细回答，谢谢！
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@juntion
1).C12+R15與C11+R16是做EMI防治用,通常在做傳導時,中間頻段若下重一點是各並一顆104電容2).那是RDCSnubber電路,只是多了一顆R3,R3是為了限制C3充電電流,讓D1導通緩和,不會因瞬開而產生Peak 原理是:當MOSFET_OFF時,變壓器極性反轉,MOSFET_D端為正,HVCC端為負,D1順向對C3充電,將Off時尖峰吸 收,當MOSFET_ON時,D1反向不導通,C3藉由R2放電,直到清空為止....3).R7為驅動限流電阻,通常介於100R以下,放到330R應該是要把MOSFET導通速度放緩,這速度與傳導跟幅射有關 R20,D4為加速放電用,通常R20可以不要,只用一顆二極體,但是加了R20是讓放電緩一下,應該也跟EMI有關4).這是基本的回授補償,有些用法只接一顆電容而不接電阻,接電容主要是做負回授衰減增益用,但是太過補償容易引 起震盪,因此加一顆電阻,此電阻稱為"阻尼電阻",加了阻尼電阻在某些頻率區段會較平滑............
版主你好，能麻烦你帮我看一下Q2基极电压是怎么来的吗？是分压器3 4端口得到的电流，经R12 R17流入到Q2的基极，形成的电压？？
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@不知道取什么名
版主你好，能麻烦你帮我看一下Q2基极电压是怎么来的吗？是分压器3 4端口得到的电流，经R12 R17流入到Q2的基极，形成的电压？？
如果把Q2拿掉, R10,R11,R12分壓, 再依個C4下地, 與他的應用電路是不是一樣? 因為這接腳是VS, 一般如果QR
Model 會稱為ZCS...............
VS接腳依據定義是回授資訊與CC資訊, 意思應該是屬於高低壓補償與線電壓補償是由此接腳來的, 所以這一個端點是
由Aux 方波上下振幅與週期寬度決定其線補償點與高低壓短路OPP點, 所以接受的是方波......
線再用一顆PNP電晶體, 由高端要加入電壓, 電晶體是無法操作在交流, 所以先一顆二極體整流提供一個正電位
然後在電晶體_C極串一顆電阻接到VS接腳, 此時B極電阻下地, 則電晶體就導通, 相當於電晶體串R17與R12並聯
因為D5整流後沒有電容下地, 因此還是一個方波, 只是這是一個位準為正的方波, 不像Aux是交流方波, 所以
C15於B-E端, 是防止方波擾動, R18串C9是防止B極落地迴路電壓擾動..............
而B極使用一顆熱敏電阻與R19,R21串聯, 當溫度低時, 阻值高, Ib 小, 所以IC也小, 相當於R17並聯阻抗高,...
當熱敏溫度高時, 阻值低, Ib變高, IC變高, 則當VS> 3V時, PWM將保護掉........
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@juntion
如果把Q2拿掉,R10,R11,R12分壓,再依個C4下地,與他的應用電路是不是一樣?因為這接腳是VS,一般如果QR Model會稱為ZCS...............VS接腳依據定義是回授資訊與CC資訊,意思應該是屬於高低壓補償與線電壓補償是由此接腳來的,所以這一個端點是由Aux方波上下振幅與週期寬度決定其線補償點與高低壓短路OPP點,所以接受的是方波......線再用一顆PNP電晶體,由高端要加入電壓,電晶體是無法操作在交流,所以先一顆二極體整流提供一個正電位然後在電晶體_C極串一顆電阻接到VS接腳,此時B極電阻下地,則電晶體就導通,相當於電晶體串R17與R12並聯因為D5整流後沒有電容下地,因此還是一個方波,只是這是一個位準為正的方波,不像Aux是交流方波,所以C15於B-E端,是防止方波擾動,R18串C9是防止B極落地迴路電壓擾動..............而B極使用一顆熱敏電阻與R19,R21串聯,當溫度低時,阻值高,Ib小,所以IC也小,相當於R17並聯阻抗高,...當熱敏溫度高時,阻值低,Ib變高,IC變高,則當VS>3V時,PWM將保護掉........
好详细，通俗易懂，谢谢版主！
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@juntion
如果把Q2拿掉,R10,R11,R12分壓,再依個C4下地,與他的應用電路是不是一樣?因為這接腳是VS,一般如果QR Model會稱為ZCS...............VS接腳依據定義是回授資訊與CC資訊,意思應該是屬於高低壓補償與線電壓補償是由此接腳來的,所以這一個端點是由Aux方波上下振幅與週期寬度決定其線補償點與高低壓短路OPP點,所以接受的是方波......線再用一顆PNP電晶體,由高端要加入電壓,電晶體是無法操作在交流,所以先一顆二極體整流提供一個正電位然後在電晶體_C極串一顆電阻接到VS接腳,此時B極電阻下地,則電晶體就導通,相當於電晶體串R17與R12並聯因為D5整流後沒有電容下地,因此還是一個方波,只是這是一個位準為正的方波,不像Aux是交流方波,所以C15於B-E端,是防止方波擾動,R18串C9是防止B極落地迴路電壓擾動..............而B極使用一顆熱敏電阻與R19,R21串聯,當溫度低時,阻值高,Ib小,所以IC也小,相當於R17並聯阻抗高,...當熱敏溫度高時,阻值低,Ib變高,IC變高,則當VS>3V時,PWM將保護掉........
版主，你好，我想问一下，那个开关MOS管一般选什么型号的？我做仿真的时候，测MOS管的漏极电压，得到的结果和正常的结果不一样啊。
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