FSDM0165系列IC工作在65K左右,并具有斗频功能,内部集成MOS.这种IC应该是很好过EMI的,可是在用这种IC设计了一款12的电源后,传导很好过,水平辐射也很好过,就是在垂直辐射30--35MHZ的地方超过2--6DB,其他频段均有8DB以上余量.
再经过几天的艰苦整改,实验了大量方法和多种变压器结构后,发现所测的所有垂直辐射基本上都是一样的的走势.其他所有能想到的办法都试过了,以失败告终,最后用了变压器外包铜皮+输出T9*5*3磁环 2线8T+RCD中D用1N4007+DS之间并472/1KV电容串47R电阻这种很复杂的方法才把它压下来,留了6DB余量.其中最有效的措施是DS之间并472/1KV电容串47R电阻,但这种方法大大降低效率,电阻发热很大.
经思考,认为是0165系列片内集成了MOS,这个MOS以固有的速度开通和关断产生了30---35MHZ的辐射EMI所致,要解决这个频段,最好就是在MOS的D和S间并联RC缓冲来减小开通产生的大dV/dt和关断产生的di/dt.
邀请各位朋友们提出看法,也希望通过探讨能更经济的解决本人设计之电源之EMI问题.
