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需要性能稳定的IGBT/MOSFET/FRED猛货的时候请考虑一下APT

Advanced Power Technology Inc(简称APT)
是通过美国军方MIL-PRF-19500标准认证企业,
1989年就被美国DSCC认定为JANTX和JANTXV级产品供应商,
是美国军用电源器件指定供应商之一,
同时也是高可靠宇航产品生产供应商.
目前APT的产品广泛应用于通信、电力、军工、焊接、医疗等领域,
国内主要的大客户有艾默生,中兴等企业.
在高电压大电流功率器件上有非常明显的优势(大部分产品和IXYS可以替代使用).

APT主要产品:
1.MOSFET: VDSS=100-1400V,ID=10-200A.
2.COOLMOS: VDSS=600-800V,ID=10-200A.
3.IGBT分立器件:300-1200V,8-100A,频率最快达200KHz,广泛用于替代MOSFET.
4.MOSFET功率模块: VDSS=200-1200V,ID=11-300A.
5.IGBT模块:PT/NPT/Trench技术,600-1700V,50-600A.
6.超快软恢复二极管:VB=200-1200,If=15-100A.  
7.肖特基二极管:Vs=200V,If=25-120A.
8.DQ PFC 专用升压二极管 Qrr和trr低,Vf小,IRRM低.  
9.RF功率MOSFET:Pout=85-750W,工作频率25-120MHz.

北京时代新晨电子(Brilliance Group )是美国APT大陆总代理.
从1997年开始和美国APT合作,进行APT产品在国内的推广和技术服务,
我们在深圳有办事处.  
代理资格验证:
http://www.advancedpower.com/SalesContact/DistysAndReps/RepresentativesDetails/default.aspx?country=China

对APT产品有任何问题,请和我们联系:
电话: 0755-83864213-803
Email: chen.zhu@brillianceic.com
联系人:陈先生
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oude
LV.5
2
2004-11-25 17:28
1101421649.pdf
APT2004选型手册分立器件部分,
供大家参考.
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oude
LV.5
3
2004-11-25 17:30
1101421786.pdf
APT2004选型手册 模块部分,
供大家参考.
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xkw1
LV.9
4
2004-11-25 17:35
拉倒把!在美国,最大的POWER军品供货商是IR,除非是水货,当心FBI查你!
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oude
LV.5
5
2004-11-25 17:41
@xkw1
拉倒把!在美国,最大的POWER军品供货商是IR,除非是水货,当心FBI查你!
呵呵,
IR在中小功率方面有优势,
APT在中大功率方面有优势,
比如200V/120A的肖特基二极管就不是IR的所长吧,^_^.
"之一"而已,两者有什么冲突呢?
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xkw1
LV.9
6
2004-11-25 17:52
@oude
呵呵,IR在中小功率方面有优势,APT在中大功率方面有优势,比如200V/120A的肖特基二极管就不是IR的所长吧,^_^."之一"而已,两者有什么冲突呢?
刚才说军品,现在讲...呵呵!看看IR的400A的肖特基.1101423176.pdf
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oude
LV.5
7
2004-11-25 23:52
@xkw1
刚才说军品,现在讲...呵呵!看看IR的400A的肖特基.1101423176.pdf
呵呵,军品供应商也不一定要每个产品都是军品级别吧.
原来我说的是264、247那样的小管阿,
你不能把modules拿出来比哦.

看看这个二极管APTDF400U120猛不猛:1200V/400A.
1101444717.pdf

我还是这个意见,
APT和IR各有所长,
在中小功率方面,
绝对是IR的天下阿.
而APT只做中大功率的.
两者基本上正面冲突的机会很少阿.
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jhf123
LV.4
8
2004-11-26 08:01
有900V或以上,  14A或以上的MOSFET吗???, 有, 报个价给我.
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xkw1
LV.9
9
2004-11-26 09:31
@oude
呵呵,军品供应商也不一定要每个产品都是军品级别吧.原来我说的是264、247那样的小管阿,你不能把modules拿出来比哦.看看这个二极管APTDF400U120猛不猛:1200V/400A.1101444717.pdf我还是这个意见,APT和IR各有所长,在中小功率方面,绝对是IR的天下阿.而APT只做中大功率的.两者基本上正面冲突的机会很少阿.
因为这是技术论坛,我不反对你推广技术,但;你不该一下搞那么多广告.IXYS和IR西门子等有许多比你们强许多的东西,就IGBT讲,IR就给某些现在的IGBT巨头设计过3000V以上的产品.而他自己由于定位的问题并不公开出售.
你的400A管根本连国货都比不了,我在原单位就常用4500V4000A的国货做产品!你听说过900V100000A的产品吗?这都是以前的标准品了!光我参与开发的高压产品就有100000V500A,900V96000A,35000V300A...(我只是小字背,实在开发的产品有限,不好意思,比我强的太多).以后还是多谈技术吧!你要做广告可以到商务广告区.
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oude
LV.5
10
2004-11-26 10:33
@xkw1
因为这是技术论坛,我不反对你推广技术,但;你不该一下搞那么多广告.IXYS和IR西门子等有许多比你们强许多的东西,就IGBT讲,IR就给某些现在的IGBT巨头设计过3000V以上的产品.而他自己由于定位的问题并不公开出售.你的400A管根本连国货都比不了,我在原单位就常用4500V4000A的国货做产品!你听说过900V100000A的产品吗?这都是以前的标准品了!光我参与开发的高压产品就有100000V500A,900V96000A,35000V300A...(我只是小字背,实在开发的产品有限,不好意思,比我强的太多).以后还是多谈技术吧!你要做广告可以到商务广告区.
呵呵,
这回算是碰到大侠了.
失敬失敬,以后还请多多指教.

各家的技术水准好还是不好,
看试验的使用效果吧.
APT也不怕FBI.

大家在设计的时候多一个参考,多一种选择,
总没有什么坏处.
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oude
LV.5
11
2004-11-26 10:36
@jhf123
有900V或以上,  14A或以上的MOSFET吗???,有,报个价给我.
有,
247封装的有 1200V/22A,1100V/26A,1000V/28A.
需要看你具体的使用环境如何,再给你做推荐.
chen.zhu@brillianceic.com
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换口气
LV.5
12
2004-11-26 10:39
传些应用电路上来啊,比如电磁炉的应用方案.
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2004-11-30 04:33
@换口气
传些应用电路上来啊,比如电磁炉的应用方案.
本公司有用在电磁炉上的芯片,Viper12A\Viper22A,
同时本公司也是生产电源板、温控板的生产厂家.
  有事情请联系我.0755--81309390
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oude
LV.5
14
2004-11-30 10:40
@换口气
传些应用电路上来啊,比如电磁炉的应用方案.
不好意思,
我这里没有阿,
那位大侠帮忙传一下.
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oude
LV.5
15
2004-12-06 14:14
@jhf123
有900V或以上,  14A或以上的MOSFET吗???,有,报个价给我.
APT10086BVFR:1000V,13A,0.86欧,247封装.1102313668.pdf
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oude
LV.5
16
2004-12-14 23:37
@oude
1101421786.pdfAPT2004选型手册模块部分,供大家参考.
自己顶一下,呵呵!
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oude
LV.5
17
2004-12-14 23:41
赵忠礼老师《SMPS功率器件性能分析比较》,供各位大侠参考.
1103038844.pdf
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coffey
LV.1
18
2004-12-16 17:57
@xkw1
因为这是技术论坛,我不反对你推广技术,但;你不该一下搞那么多广告.IXYS和IR西门子等有许多比你们强许多的东西,就IGBT讲,IR就给某些现在的IGBT巨头设计过3000V以上的产品.而他自己由于定位的问题并不公开出售.你的400A管根本连国货都比不了,我在原单位就常用4500V4000A的国货做产品!你听说过900V100000A的产品吗?这都是以前的标准品了!光我参与开发的高压产品就有100000V500A,900V96000A,35000V300A...(我只是小字背,实在开发的产品有限,不好意思,比我强的太多).以后还是多谈技术吧!你要做广告可以到商务广告区.
这位大侠言辞过于激了一点点吧.其实做广告也没有什么大不了的,让大家又多一个机会了解更多的知识不也挺好D嘛.
是不~~~
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oude
LV.5
19
2005-01-11 15:45
有关功率器件并联的技术文章一篇:
Parallet connection of power electronic devices
1105429469.pdf
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oude
LV.5
20
2005-02-22 09:10
APT官方网站消息:APT推出 TIG 焊机专用新型IGBT


APT很荣幸地推出两款新型TIG 焊机专用IGBT产品: APT200GN60J和 APT200GN60JDQ4 .这些分立器件采用了最先进的场终止沟槽栅技术,并且采用了工业标准封装形式SOT-227.这些产品是专为TIG焊机而设计的,是对APT分立的场终止型IGBT产品线的补充.APT200GN60J是一个单独的IGBT,而APT200GN60JDQ4 是一个IGBT复合器件(带一个100A的反并联二极管).反并联二极管是可选的.

主要特点:
效率高-—非常低的导通损耗
电流大
容易并联——参数一致性好,正温度系数
正向安全工作区宽——线性工作可靠
10μs短路额定值
采用了场终止技术,拖尾电流短——硬开关工作,频率可达到30KHz
大电流应用方面,与模块相比更具价格优势


这些IGBT可用于铝TIG焊机的输出逆变器上,也可用于需要很低导通损耗的大电流、30 KHz开关频率的应用中.
Datasheet 详细描述了600V IGBT的特点和优点,有助于设计者进行研发设计.您可以登陆APT的网站(www.advancedpower.com)以获得详细的Datasheet .

目前可提供样品,大批量货期是8-12周.
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zyn1308
LV.4
21
2008-05-08 22:55
有没有APT15GP90BDF1?什么价钱?
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summer701
LV.2
22
2008-07-02 22:34
有APT8056BVFR和APT5020BVFR吗?
多少钱一支,请告知
对在北京有联系方式吗
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oude
LV.5
23
2008-07-03 13:52
@summer701
有APT8056BVFR和APT5020BVFR吗?多少钱一支,请告知对在北京有联系方式吗
今年APT第五代的MOSFET要逐步退出常规市场,
逐步用第八代MOSFET来替代.

APT8056BVFR>>>APT22F80B
APT5020BVFR>>>APT37F50B
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