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电感匝数与气隙的讨论

我和我的朋友都是开发节能的,在其它方面有较好的共识.但在电感方面,他喜欢增加匝数和增大气隙来达到要求,而我则减少匝数和减小气隙.所以我的EB的工作频率总是大于朋友的.经多次实验测试,二个三极管的温升不分上下,但电感的温度我的比朋友低10度左右.朋友不服,故与大家一起讨论,各位有何高见!
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2004-11-28 16:48
如果你是设计小功率的电感,确实有的情况下不需要气息.因为你的圈数少,固然你的温度会比较低,但是我赞同你朋友的做法.当你做较大功率的时候,可能会遇到电感的饱和问题,这时候是必须加大气息或者增加圈数的.如果你是用三极管,频率最好不好超过五十千.你们又没有测试过高温下的情况呢,你的电感会饱和吗?
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zcj0304
LV.8
3
2004-11-28 17:29
多考虑磁滞损耗、涡流损耗、剩余损耗、铜损、铁损、分部电容.
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2004-11-29 14:52
@穷则思变
如果你是设计小功率的电感,确实有的情况下不需要气息.因为你的圈数少,固然你的温度会比较低,但是我赞同你朋友的做法.当你做较大功率的时候,可能会遇到电感的饱和问题,这时候是必须加大气息或者增加圈数的.如果你是用三极管,频率最好不好超过五十千.你们又没有测试过高温下的情况呢,你的电感会饱和吗?
在65度的环境里连续测试一个月后一切正常.仔细观察,发现朋友的电感线圈有变色的痕迹.这让我想起为何有些EB在使用一段时间后,电感线圈容易匝间短路而损坏,尤其是为节约成本使用小磁芯时.在大多情况下,线圈的温度总会高于磁芯的温度.也许平衡线圈与磁芯的温度更有利于产品的稳定(这点需要时间来证明).我知道使用三极管频率不能太高,但这次我将频率调到六十千赫以上,到现在尚未发现问题.只是磁环的温度有点偏高.
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lcp196696
LV.5
5
2004-11-29 19:48
@zcj0304
多考虑磁滞损耗、涡流损耗、剩余损耗、铜损、铁损、分部电容.
你的朋友,做出的产品比你的产品可靠,你可以做高温高压破坏性对比试验.
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zcj0304
LV.8
6
2004-11-29 22:39
@lcp196696
你的朋友,做出的产品比你的产品可靠,你可以做高温高压破坏性对比试验.
我的哪个朋友?
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lcp196696
LV.5
7
2004-12-02 22:38
@zcj0304
我的哪个朋友?
你说的朋友.线圈多少,气隙大小,理论上是计算电感值与匹配值,实践中功率大小,磁材好坏,中低档产品等等都有影响.也许你的产品比我做得好,请你原谅,愿你开心.
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zcj0304
LV.8
8
2004-12-03 08:00
@lcp196696
你说的朋友.线圈多少,气隙大小,理论上是计算电感值与匹配值,实践中功率大小,磁材好坏,中低档产品等等都有影响.也许你的产品比我做得好,请你原谅,愿你开心.
GE一位大哥在工程师照明说的很好,我引用他的意思.
他说对LC谐振要计算Q值,对Q值越高,对元器件耐压也越高,反之对元器件耐压相对要求低,但启动困难
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sars
LV.4
9
2004-12-03 09:44
我是做磁性器件的,你用的方法在我看来是有待论证的!但也不能说不好.原因如下:除了考虑L值以外,饱和特性是主要因素,其次是损耗.前者这方面,你朋友的电感肯定比你好,因为他的气隙大,储能好,后者的因素,是你的好,因为你的损耗小!但这里面仍有有一点要说明,电感器件的损耗大小,不要说匝数越小越好,因为整个器件的损耗是铜阻和磁损耗的总和,匝数小铜阻小,但磁损耗会相应较大,相反匝数多铜阻大,但磁损耗相对较小,最佳的办法是找到最优的一个点,此时铜阻和磁损耗的总和是在最小值附近,可以用做二条相交的曲线图(匝数VS损耗)二条曲线的交点处就是最小的总损耗对应点!
从你说的情况来分析,你朋友是过分强调饱和了,而你的做法如果确定饱和特性是在允许范围内的话,是可行的!没有必要去加大匝数,这会增加成本的!
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3t3t
LV.4
10
2004-12-03 15:41
@sars
我是做磁性器件的,你用的方法在我看来是有待论证的!但也不能说不好.原因如下:除了考虑L值以外,饱和特性是主要因素,其次是损耗.前者这方面,你朋友的电感肯定比你好,因为他的气隙大,储能好,后者的因素,是你的好,因为你的损耗小!但这里面仍有有一点要说明,电感器件的损耗大小,不要说匝数越小越好,因为整个器件的损耗是铜阻和磁损耗的总和,匝数小铜阻小,但磁损耗会相应较大,相反匝数多铜阻大,但磁损耗相对较小,最佳的办法是找到最优的一个点,此时铜阻和磁损耗的总和是在最小值附近,可以用做二条相交的曲线图(匝数VS损耗)二条曲线的交点处就是最小的总损耗对应点!从你说的情况来分析,你朋友是过分强调饱和了,而你的做法如果确定饱和特性是在允许范围内的话,是可行的!没有必要去加大匝数,这会增加成本的!
同意楼上的观点.只要实际使用符合要求,我赞成哪种成本低,哪种工艺简单,就用哪种.
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zcj0304
LV.8
11
2004-12-03 19:33
@sars
我是做磁性器件的,你用的方法在我看来是有待论证的!但也不能说不好.原因如下:除了考虑L值以外,饱和特性是主要因素,其次是损耗.前者这方面,你朋友的电感肯定比你好,因为他的气隙大,储能好,后者的因素,是你的好,因为你的损耗小!但这里面仍有有一点要说明,电感器件的损耗大小,不要说匝数越小越好,因为整个器件的损耗是铜阻和磁损耗的总和,匝数小铜阻小,但磁损耗会相应较大,相反匝数多铜阻大,但磁损耗相对较小,最佳的办法是找到最优的一个点,此时铜阻和磁损耗的总和是在最小值附近,可以用做二条相交的曲线图(匝数VS损耗)二条曲线的交点处就是最小的总损耗对应点!从你说的情况来分析,你朋友是过分强调饱和了,而你的做法如果确定饱和特性是在允许范围内的话,是可行的!没有必要去加大匝数,这会增加成本的!
是啊!磁损耗与铜损耗是相对的啊 ,找到点就可以了,LC谐振也是一样啊
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