请教:mos驱动问题

在单管反激拓朴里 一般mos过热的问题除了变压器饱和外 还有mos的开关损耗过大的问题
小弟想请教一下 磁饱和是否可从mos的vds波形或源级端的检测电阻上的波形来观察?在ccm模式下波形应该是有斜率的阶梯形
那mos的开关损耗过大应该如何去观察呢?
最近用3843于输入9v时直接驱动mos管 但是温升太高
在确定变压器没有饱和下 怀疑是mos的开关损耗过大
请各位大哥能提供些意见给小弟 谢谢