用PWM进行直流有刷电机调速时MOSFET发热问题!

在上面的电路中,pwm的频率是:20KHz,用12V的电池供电,驱动一直流电机,最大电流是:400A.,调速方法是:Q1常开,Q4进行PWM驱动,更改其占空比达到更改速度的目的.另外一路同理.

在进行调速时,电路大概在100A左右,散热片在不到20秒的时间内温度达到80度.(这个场管的最高温度不能超过150度.),但不用PWM(将Q1和Q4打开保持一个相同的电平)这时电流在200以上时间在2分钟以上而温度也未超过60度.(环境温度:28度),
请问:这是何原因,及如何解决.谢谢!

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yzzjw

LV.2

2007-05-17 23:04

没人回应呢?自己顶一下,在线等候高手指点.

江湖电源

LV.9

2007-05-18 08:47

@yzzjw

没人回应呢?自己顶一下,在线等候高手指点.

请选用低导通内阻的MOS管

yzzjw

LV.2

2007-05-18 11:29

@江湖电源

请选用低导通内阻的MOS管

谢谢指点.我现在选用的MOSFET是IRLC3713,买来的是晶园,然后划片后再用邦定机自己邦定的.从这个MOSFET的数据手册上看它Vgs=10@3mΩ,再加上邦定线就4mΩ,但,就算是400A的电流其它功率:

Pmosfet = I*I*R = 400*400*(0.004/6)
= 106W
但我这个散热器是: 可以做145W的,而且我现在的电流也只是100A,所以就在20S就这么高的温度是不是有其它问题.谢谢

lyjy

LV.7

2007-05-18 14:44

@yzzjw

谢谢指点.我现在选用的MOSFET是IRLC3713,买来的是晶园,然后划片后再用邦定机自己邦定的.从这个MOSFET的数据手册上看它Vgs=10@3mΩ,再加上邦定线就4mΩ,但,就算是400A的电流其它功率:Pmosfet=I*I*R=400*400*(0.004/6) =106W但我这个散热器是:可以做145W的,而且我现在的电流也只是100A,所以就在20S就这么高的温度是不是有其它问题.谢谢

什么叫晶园?划片邦定?你是自制mos管子吗?我很惊讶!

yzzjw

LV.2

2007-05-18 16:58

@lyjy

什么叫晶园?划片邦定?你是自制mos管子吗?我很惊讶!

没有什么好惊讶的.你现在在市场上买的晶休管都是这样的过程生产过来的.晶园就是IC厂家做出来的.然后再经过划片然后再将其划下的晶片贴片一个母片上,再用邦定机把线引出来再用固体材料如AB胶把它封起来就成了.我们现在做只是少了厂家给我休的后几部而已.没有什么啊.我们自己做价格要比生产厂家便宜得多啊!如果你有电机控制方面的东西,请你介绍一下我上面的问题有什么好的办法来解决呢?

whj_1984

LV.2

2007-06-01 21:05

你可以降低下桥管的开关频率,因为MOS都有一个很大的导通损耗,比如降为2K左右.

江湖电源

LV.9

2007-06-02 07:16

驱动也很重要,用示波器观察G极上的波形是否正常,应该是上升沿和下降沿都很徒.

heavy_metal

LV.1

2007-06-04 11:26

问题解决了吗?

yzzjw

LV.2

2007-08-30 08:18

@whj_1984

你可以降低下桥管的开关频率,因为MOS都有一个很大的导通损耗,比如降为2K左右.

我现在下桥的开关频率是:3K

yzzjw

LV.2

2007-08-30 08:20

@江湖电源

驱动也很重要,用示波器观察G极上的波形是否正常,应该是上升沿和下降沿都很徒.

我现在用的drive是Microchip公司的TC4420它的最大输出电流是:6A,我算了一下,驱动还可以.上升沿时间为:210ns,下降沿时间是:230ns.

yzzjw

LV.2

2007-08-30 08:21

@heavy_metal

问题解决了吗?

现在问题还是没有得到很好的解决.下步不知道如何做．

number-one

LV.4

2007-08-30 09:02

@yzzjw

现在问题还是没有得到很好的解决.下步不知道如何做．

降低开关频率,加大RCD吸收试下!

yuly1

LV.4

2007-08-30 10:12

@yzzjw

我现在用的drive是Microchip公司的TC4420它的最大输出电流是:6A,我算了一下,驱动还可以.上升沿时间为:210ns,下降沿时间是:230ns.

你从两个方面找原因:
1开关损耗--驱动波形,驱动电压辐值与导通压降有关,MOS的驱动上升与下降沿越快越好;电感性负载可更改吸收方式,可在电机两端也并吸收(看开通损耗大还是关断损耗大);开关频率
2导通损耗
其它别无原因,安装引起的就不讨论啦,你的问题应是第一种

number-one

LV.4

2007-08-30 11:26

@yuly1

你从两个方面找原因:1开关损耗--驱动波形,驱动电压辐值与导通压降有关,MOS的驱动上升与下降沿越快越好;电感性负载可更改吸收方式,可在电机两端也并吸收(看开通损耗大还是关断损耗大);开关频率2导通损耗其它别无原因,安装引起的就不讨论啦,你的问题应是第一种

同意观点

yzzjw

LV.2

2007-10-15 08:56

@number-one

降低开关频率,加大RCD吸收试下!

你是对的.应该要加上RCD吸收电路,这样MOSFET在关断的时候没有过高的电压冲击MOSFET,MOSFET也不会容易坏,关键是这个RCD吸收的值如何计算?如果R功率太大的话,就很困难了.因为结构限制.

yzzjw

LV.2

2007-10-15 09:00

@yuly1

你从两个方面找原因:1开关损耗--驱动波形,驱动电压辐值与导通压降有关,MOS的驱动上升与下降沿越快越好;电感性负载可更改吸收方式,可在电机两端也并吸收(看开通损耗大还是关断损耗大);开关频率2导通损耗其它别无原因,安装引起的就不讨论啦,你的问题应是第一种

多谢指点.我现在用的Drive是Microchip的TC4420.这个驱动我的MOSFET我计算过.没有问题,上升时间与下降时间都很快.分别是210ns和300ns左右.pwm的频率是3k.现在的问题是MOSFET很容易烧毁,我想应该是没有加吸收回路引起的,阁下是否知道如何计算RCD或RC吸收回的值,多谢谢!