多谢指点.我现在用的Drive是Microchip的TC4420.这个驱动我的MOSFET我计算过.没有问题,上升时间与下降时间都很快.分别是210ns和300ns左右.pwm的频率是3k.现在的问题是MOSFET很容易烧毁,我想应该是没有加吸收回路引起的,阁下是否知道如何计算RCD或RC吸收回的值,多谢谢!

你是对的.应该要加上RCD吸收电路,这样MOSFET在关断的时候没有过高的电压冲击MOSFET,MOSFET也不会容易坏,关键是这个RCD吸收的值如何计算?如果R功率太大的话,就很困难了.因为结构限制.

现在问题还是没有得到很好的解决.下步不知道如何做．

我现在用的drive是Microchip公司的TC4420它的最大输出电流是:6A,我算了一下,驱动还可以.上升沿时间为:210ns,下降沿时间是:230ns.

我现在下桥的开关频率是:3K

能给一个报价吗?os.app@163.com

没有示波器.那你说怎么搞呢?专有理念计算还是不够的.但理念要懂也是主要的/

没有什么好惊讶的.你现在在市场上买的晶休管都是这样的过程生产过来的.晶园就是IC厂家做出来的.然后再经过划片然后再将其划下的晶片贴片一个母片上,再用邦定机把线引出来再用固体材料如AB胶把它封起来就成了.我们现在做只是少了厂家给我休的后几部而已.没有什么啊.我们自己做价格要比生产厂家便宜得多啊!如果你有电机控制方面的东西,请你介绍一下我上面的问题有什么好的办法来解决呢?

谢谢指点.我现在选用的MOSFET是IRLC3713,买来的是晶园,然后划片后再用邦定机自己邦定的.从这个MOSFET的数据手册上看它Vgs=10@3mΩ,再加上邦定线就4mΩ,但,就算是400A的电流其它功率:Pmosfet=I*I*R=400*400*(0.004/6)        =106W但我这个散热器是:可以做145W的,而且我现在的电流也只是100A,所以就在20S就这么高的温度是不是有其它问题.谢谢

我采用的是TLP250做的驱动.TLP的驱动电流为1.5A,但我在每个MOSFET的G极都串有8.2Ω的电阻.从Vgs的电压波形来看都很好.上升沿时间为0.6us,下降沿时间为:1us,MOSFET的驱动能力上,我计算过是可以驱动的,电流也能够达到要求.MOSFET的Vgs电压都在12V以上.不知道是否还有其它原因.