ACT30A 5W機如何測試高電壓OCP
請問各位老師,我現用ACT30A做了一款V 1A 的樣板,電路采用ACT30A標准電路,次級後面沒有CC,90V時1.5A,保護,264V時用電子負載調調炸機,請問各位有沒有此種現象?你們是如何測高壓時的OCP,或是你們生產時沒有測試此項?
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@小钟工
ACT30的方案后面次级部不加CC电路不行吧,高压短路时会炸机,我也有遇到这样问题,现在我搞的ACT30的方案的产品都加了CC这电路.
ACT30的短路是靠反馈绕组的欠压而实现打嗝保护的,IC通过SW或者VDD两个脚进行欠压检测,不管哪个脚先进行欠压点都能保护,VDD在3.8V左右,SW在6.8V左右,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,根据这些出发点可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好,尽是各都是满一层绕制;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗而使芯片尽快检测到欠压;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片,避免SW脚电压击穿;6减小开关管的B极驱动电阻,保证短路时三极管饱和导通,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!从这几点去做,短路保护是肯定可以实现的,并且多调几次可以达到较好状态!
如果短路保护很好了,OCP还有问题的话,检查三极管的电流是否超出规格,三极管是比较重要的器件,一定要饱和导通,特别注意SW脚位电压OCP或者短路时不能超出18V,IC里面的MOS是没有问题的.
如果短路保护很好了,OCP还有问题的话,检查三极管的电流是否超出规格,三极管是比较重要的器件,一定要饱和导通,特别注意SW脚位电压OCP或者短路时不能超出18V,IC里面的MOS是没有问题的.
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@jerome
ACT30的短路是靠反馈绕组的欠压而实现打嗝保护的,IC通过SW或者VDD两个脚进行欠压检测,不管哪个脚先进行欠压点都能保护,VDD在3.8V左右,SW在6.8V左右,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,根据这些出发点可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好,尽是各都是满一层绕制;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗而使芯片尽快检测到欠压;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片,避免SW脚电压击穿;6减小开关管的B极驱动电阻,保证短路时三极管饱和导通,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!从这几点去做,短路保护是肯定可以实现的,并且多调几次可以达到较好状态!如果短路保护很好了,OCP还有问题的话,检查三极管的电流是否超出规格,三极管是比较重要的器件,一定要饱和导通,特别注意SW脚位电压OCP或者短路时不能超出18V,IC里面的MOS是没有问题的.
Jerome 分析的高!
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@jerome
ACT30的短路是靠反馈绕组的欠压而实现打嗝保护的,IC通过SW或者VDD两个脚进行欠压检测,不管哪个脚先进行欠压点都能保护,VDD在3.8V左右,SW在6.8V左右,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,根据这些出发点可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好,尽是各都是满一层绕制;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗而使芯片尽快检测到欠压;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片,避免SW脚电压击穿;6减小开关管的B极驱动电阻,保证短路时三极管饱和导通,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!从这几点去做,短路保护是肯定可以实现的,并且多调几次可以达到较好状态!如果短路保护很好了,OCP还有问题的话,检查三极管的电流是否超出规格,三极管是比较重要的器件,一定要饱和导通,特别注意SW脚位电压OCP或者短路时不能超出18V,IC里面的MOS是没有问题的.
高人
可以告诉你的MSN或者QQ吗
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@jerome
ACT30的短路是靠反馈绕组的欠压而实现打嗝保护的,IC通过SW或者VDD两个脚进行欠压检测,不管哪个脚先进行欠压点都能保护,VDD在3.8V左右,SW在6.8V左右,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,根据这些出发点可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好,尽是各都是满一层绕制;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗而使芯片尽快检测到欠压;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片,避免SW脚电压击穿;6减小开关管的B极驱动电阻,保证短路时三极管饱和导通,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!从这几点去做,短路保护是肯定可以实现的,并且多调几次可以达到较好状态!如果短路保护很好了,OCP还有问题的话,检查三极管的电流是否超出规格,三极管是比较重要的器件,一定要饱和导通,特别注意SW脚位电压OCP或者短路时不能超出18V,IC里面的MOS是没有问题的.
再讲一句高人
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