IGBT应用领域探讨

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30a600v的IGBT很多厂家都能做,象INFINEON,FAIRCHILD,TOSHIBA等都有,50A的相对少一些,IXYS\FUJI在做大电流方面强一些.
INFINEON的网站WWW.INFINEON.COM
WWW.FAIRCHILDSEMI.COM
WWW.TOSHIBA.COM
WWW.IXYS.COM
WWW.IRF.COM
WWW.FUJI.COM上面是一些做IGBT的厂家的地址.可上他们的网站看看.
IGBT的选择不仅仅只考虑电压、电流.首先看你是用单管还是IGBT模块.还有工作频率、PT|NPT型IGBT适用范围也不尽相同.等等.

   主要看你的应用条件.
   大侠,你是用在什么上面,能否交流一下

IGBT几大的耐量都有,而且在广州很容易找到,拆件和原装全新的都有.我曾经用过1200伏1000安的产品,结果想试试短路保护的时候弄烧了,损失了我400元

你怎没能不提eupec,semikron,tyco和Mitsubishi?

APT15GP60B:600A/27A(110℃)
1102657953.pdf

APT30GP60B:600V/59A(110℃)
1102658369.pdf

APT40GP60B:600V/62A(110℃)
1102657870.pdf

你这个62A和27A是结温150C的,而不是125C的

这几款是高速IGBT产品,如果您的电源无需高频时,可以考虑信价比更好的,比如说APT30GT60BRD、APT60GT60BR、APT40GT60BR.1102661175.pdf1102661360.pdf1102661375.pdf

目前已有大量IGBT用于开关电源,通信电源,逆变电源等.虽然我没做过电源,但由于个人兴趣,我还是很想和你交流一下,还请多多指导.在电源方面,IGBT是很有优势的.首先在相同电压电流下,IGBT的价格比MOSFET要低一半;第二、IGBT的通流能力更强,可以避免MOSFET并联带来的麻烦;第三、由于技术的进步,它的开关频率也很高,可以与MOSFET进行媲美,据说APT的MOS7 IGBT频率可达200KHz ;第四、IGBT同样也容易实现并联;第五、IGBT和MOSFET可以用同样的驱动.

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你可以选用APT30GP60B,如果是桥式电路,你可以选择APT30GP60BDF1二极管可选用APT2X100D30J,里面有两个二极管,每个二极管电流是100A

我正准备使用低压大电流的功率开关管(24V/50A),不知道IGBT和MOSFET那个性价比好些,请指个路,谢谢!

低压应用MOSFET 会比较好些,IGBT的出现主要是由于高压MOSFET的成本较高,技术比较难实现.

频率大概在哪个范围

第一:相同电压电流,IGBT和MOSFET的价格有一个分界点
第二:MOSFET并联相对比较容易,NPT工艺制作的IGBT并联也比较容易,PT的比较难.
第三:目前IGBT频率在75KHZ,更高频率的IGBT只有少数厂家能制作.
第四 :IGBT的驱动电流比较大,在某一瞬间,要求达到晶体管的驱动电流.

多谢

您的上述观点提的很好,我有些意见,还望多指教.
第一、在相同电压电流下,电流较大的场合IGBT比较占优势,小电流、高频应用MOSFET比较有优势,我指得是性价比.
第二、PT型IGBT在小电流下是负温度系数(指导通压降温度系数),当电流用到额定值一半左右或以上为正温度系数.一般工程师选择IGBT都会用到其电流额定值一半以上,故PT IGBT并联实际上也是比较容易,并联时应该注意;并联器件最好是同一厂家、同一型号、同一批号的产品,这样一致性比较好.
第三、您说目前IGBT频率为75KHz,但有些厂家的频率却能达到200KHz,这也是各厂家的技术实力很好的体现.
第四、IGBT和MOSFET的阈值电压几乎相同,一般也就相差一两伏.我想不会由于将MOSFET换成了IGBT而导致寄生晶体管导通.

1:一般工程师都选一半额定电流以下 2:一半以上才正温度系数这样限制了设计.

1200V 40A 34KHZ的工况下采用什么IGBT比较好?
APT60GF120JRD的我用了,但是在34KHZ频率下长期电流仅仅只有20A不到,电流再大就烧了.

我公司是ABB半导体公司在中国的总代理,也是ABB半导体全球最大的代理商,ABB的IGBT也不错的,欢迎试用,有生产需要的客户请与我联系,呵呵

IGBT广泛应用于电焊机、变频器、马达控制器、电力操作电源、电镀电源、UPS、EPS、纺织机械、高频感应加热、变频电源、开关电源、逆变电源、通信电源、车载电源、石油勘测、医疗机械、消防、仪器仪表、通信业、船舶工业等行业