用IR215*做大功率节能灯灯出现炸IR840等场效应的原因:该产品本身开发于91年,是专为EB开发的,EB的环境使用温度50度到顶了.该产品采用低压PN结隔离工艺,稍懂半导体的人都知道,PN结的反向漏电从室温升至105度,漏电会增加100倍,driver IC 里有高压600V LDMOS电平位移器件,采用低掺杂高阻衬底,耗尽层会很宽,漏电效果更甚.所以出现的死机,炸mos管等可靠性问题一大堆.
如果真的该iC那么好使.大量的玩磁环,1300三极管,DB3的应用工程师,以及华微,深爱,华晶都得转行了.
Harris 工程师揭秘:不能用IR driver IC做节能灯道理!!!看后敬请谈感想!
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@风雪夜归人
大功率节能灯就其电路来看就30个零件,但觉难做复杂,大W的更难,canyoutellme有没有newidea啊!donotlaughatme!自己先顶!
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/57/1996511188633960.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
