mosfet隔离驱动电路

请求帮助!

Z2反了

光耦隔离比较好

光隔是好,但是需要放大电路(否则驱动能力不足),所以需要增加辅助电源.+100Vdc不好供电给光隔电路.
我的电路工作频率是500K,输出功率150W.mosfet管的ciss很大,有80nF.

一般光藕驱动都达不到这样的频率,用6N136、137后面电路复杂.
用第一个图变压器驱动就可以了,建议增加快速关断电路,还有MOS管应有吸收电路啊.

一般光藕驱动都达不到这样的频率,用6N136、137后面电路复杂.
用第一个图变压器驱动就可以了,建议增加快速关断电路,还有MOS管应有吸收电路啊.

非常感谢各位的热心帮助,感谢btma的明确指导!请问您说的增加快速关断电路该如何实现?
有网友说OTL驱动电压为6V,因此我把隔离变压器次级两个绕组串联了,根据您们的意见修改了一下电路,见下图,请大家继续指导:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/57/1728431189663888.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

在栅极电阻上并联一个阻值更小的电阻与二极管,开通时二极管截止,正常开通,关断时两个电阻并联,相当于关断时栅极电阻减小,增大关断速度.

多谢lhxue 明确的指导!!
我根据您的意见修改了电路,最终我希望综合大家的意见,确定电路,然后做板测试,并把测试结果在此公布.
另外,我看有些国外电路的功率mosfet吸收电路非常复杂(有多个电容、电容串电阻、还有二极管),有些又很简单(如我的图),由于缺乏这方面经验,所以到此请教大家了,恳请大家继续指点……
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/57/1728431189745355.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

D1,D2有没有接反?

想知道驱动变压器的匝比是多少?

D1,D2没有接反,驱动变压器的匝比是1:2(10T:20T)

有问题吗?

继续顶起……
请大家继续讨论:驱动部分和功率MOSFET管吸收电路是否需要进一步改进?
严重感谢中……

为什么隔离变压器20T那边不需要串一个电容?你负半周的部分怎么处理?

驱动器用NPN+PNP的跟随器就可以了,驱动变压器初级并一个RC,消除过冲.快速关断简单的是在Rg上并二极管,复杂一点的是用三极管+二极管+2个R组成快速放电回路,比较好的是更复杂一些的将放电接到负电位,关断更可靠些.接在G级的二个二极管可用一个双向瞬态抑制二极管代替.MOS的吸收电路分上下两种,都加的效果最好,上吸收通常是用RDC或瞬态二极管+快恢复,下吸收也是RDC,参数不同,有参考书介绍如何计算的.

真是太感谢btma !虽然我不能全部吸收 您的意见,不过有了更明确的方向~,确认一下您的意思:
1、“驱动器用NPN+PNP的跟随器就可以了”,指的是成本的考虑,不必采用专用驱动芯片MIC4420?在这里成本不是问题
2、“驱动变压器初级并一个RC,消除过冲.”是指在A-D间加吗?还在在T1的11~12管脚上加?具体参数是多少合适?

感谢8x80提醒,我的图有错,两个地是不同的,我重新修改了.

另外说明一下,此电路的波形500khz固定50%占空比的高频方波.
似乎问题还不少……
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/57/1728431189993192.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
MIC4420.pdf

用MIC4420当然好,是成本问题,不在乎当然好.RC是在A、D间加,也可以不加,看波形决定.若MOS上的开波形有上冲,或上升太快,加RC,否则不加.具体参数试验确定,一般R＝50~120欧姆,C＝100P~1000P,与工作频率有关.理论上开关速度越快越好,实际上开关器件达不到要求,所以要控制开关速度.
希望你成功.

多谢btma 你的答复.我会改进我的设计,并在试验中完善.

在此衷心祝你中秋国庆节日快乐!

考虑再三,我还是决定采用直接驱动的方法,取消隔离驱动变压器,降低电路的复杂性,期望电路更加简洁可靠.
请大家继续帮忙看看我的mosfet直接驱动电路:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/57/1728431190596055.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

150W的功率用到80nF ciss的MOS500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/77/2921441241526002.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">