理解很生涩难懂的自举电路?

我在本站上也查到了关于自举电路的说明,可是花时间了,就是理解不透!特别是RC的作用,它是怎样解决"T1的基流将受限制而不能增加很多"的?这是在文章中提到的.总之,就是文章上解释的太理论化了,我相信咱们的老资格的工程师们肯定有自己浅显易懂的说法!请给个说法吧! 286011192609541.doc

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ruohan

LV.9

2007-10-17 18:49

就是根据电容两端的电压不能突变,自举电容的两端电压相对来说是输入VCC,这样,D点电压就等于随着输出加上自举电容两端的电压,

lix110

LV.3

2007-10-21 10:48

@ruohan

就是根据电容两端的电压不能突变,自举电容的两端电压相对来说是输入VCC,这样,D点电压就等于随着输出加上自举电容两端的电压,

是不是就可简单理解为:这个自居电容就是为了提高D点电位,使输出有足够的能量呢?

on_the_way_li

LV.9

2010-09-07 20:39

@lix110

是不是就可简单理解为:这个自居电容就是为了提高D点电位,使输出有足够的能量呢?

我理解是提高高端MOSFET相对于其S极的电位，要不然高端MOSFET不宜导通。

jyh1017

LV.4

2010-09-07 20:52

所谓自举就是自己把自己的电位提高，如何提高？以半桥为列，当下桥臂导通时，VS电位下降，那么和VS端相连的电容电位就相应上升，这就是自举

sxjnice

LV.8

2010-09-08 08:30

@jyh1017

所谓自举就是自己把自己的电位提高，如何提高？以半桥为列，当下桥臂导通时，VS电位下降，那么和VS端相连的电容电位就相应上升，这就是自举

LS的兄弟这个说法貌似反了吧，如果以半桥为例的话，当下桥导通时，电容处于充电状态，当下桥关闭时，利用了下桥D上的点位加电容充电的电位使得此时刻电容上的电位有原来的VC变成VC+VD（下桥）实现了电位的抬升，因此称之为自举，即利用自身电路的变化实现自举电容电位的抬升，目的是这样可以更好的驱动上管，否则可能会发生驱动能力不足，上管无法turn on的现象

sxjnice

LV.8

2010-09-08 08:42

LZ,按照你给的这个电路（应该是模电书上出现的自举电路）来说，所谓的自举过程如下，当T2导通时，则VCC,R3,C3,T2形成一充电回路，对C3进行充电，当T2截止时，则T1处于不完全导通状态，此时Vk的电位有原来的0V被抬高到了VCC-VCE1(这边你没有问题吧？)，而C3本身充电的点位VC3此时就会因VK电位的升高而升高，变成了VC3+VCC-VCE1,这样做的目的就是使得ib1有更大的基极电流，从而使得T1进入深度饱和状态，进而实现VK的点位和VCC的电位基本相等，提高了输出电位有原来不足VCC/2变成了VCC/2，这样子说你明白吗？