请教各位高手一个问题:
我们设计了一个12V3.3A开关电源,Mos用的是650伏的,经过测试Vds达到了610~620伏,太高了!!!并且有50~60伏的负向电压.请问有什么方法消除负向电压?
注:变压器的匝数比为50:8,在90Vac60Hz时,占空比为42%.
请参考Vds波形:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/59/2229061194192599.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
怎么样消除mos的Vds负向电压
全部回复(24)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢,说说你的想法
@shuang
示波器探头有个地线夹和一个钩子,那两个地方最容易感应到干扰.你那个可能就是感应到的.你把钩子拔掉,地线绕探头几圈,看是不是没有了.还有测试时你的地线夹夹的点要在原边一点接地的那个公共点上.这样的干扰不一定测试EMC时就一定通不过.
谢谢你的回复!
我还没有照你所说的“改善示波器探头”去测试,今天下午去看看!
不过我也找到了一个问题:用6N65的Mos就没有了,并且Vds也只有550V了,原来的10N65的Mos.去用这两个Mos做的样品去测试传导和辐射都还好,只是在测试辐射时,用10N65的余量只有2~3dB,而6N65的有6~7dB.
请问高手这是什么原因?谢谢!
现在还有一个问题:整体温升比较高:(在40度,无风的烤箱中)
桥堆:110C,Mos(6N65):100C,变压器:104C,肖特基:101C,输出电容也有90多度.这样的高温,寿命过不了!
烦请高人指点,谢谢!
我还没有照你所说的“改善示波器探头”去测试,今天下午去看看!
不过我也找到了一个问题:用6N65的Mos就没有了,并且Vds也只有550V了,原来的10N65的Mos.去用这两个Mos做的样品去测试传导和辐射都还好,只是在测试辐射时,用10N65的余量只有2~3dB,而6N65的有6~7dB.
请问高手这是什么原因?谢谢!
现在还有一个问题:整体温升比较高:(在40度,无风的烤箱中)
桥堆:110C,Mos(6N65):100C,变压器:104C,肖特基:101C,输出电容也有90多度.这样的高温,寿命过不了!
烦请高人指点,谢谢!
0
回复
提示
@elon
谢谢你的回复!我还没有照你所说的“改善示波器探头”去测试,今天下午去看看!不过我也找到了一个问题:用6N65的Mos就没有了,并且Vds也只有550V了,原来的10N65的Mos.去用这两个Mos做的样品去测试传导和辐射都还好,只是在测试辐射时,用10N65的余量只有2~3dB,而6N65的有6~7dB.请问高手这是什么原因?谢谢!现在还有一个问题:整体温升比较高:(在40度,无风的烤箱中)桥堆:110C,Mos(6N65):100C,变压器:104C,肖特基:101C,输出电容也有90多度.这样的高温,寿命过不了!烦请高人指点,谢谢!
开关管的问题可能是6N和10N的G极电容不同造成的.你改下驱动电阻应该可以解决.
温升高就头疼了,如果变压器允许,重新算变压器,把NP搞大一点,LP也搞大一点,降低IP,会有降低.前题是变压器窗口可以绕的下.桥温度好像可以高点.萧特基温度也还可以.主要是变压器和开关管.
温升高就头疼了,如果变压器允许,重新算变压器,把NP搞大一点,LP也搞大一点,降低IP,会有降低.前题是变压器窗口可以绕的下.桥温度好像可以高点.萧特基温度也还可以.主要是变压器和开关管.
0
回复
提示